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半导体物理学 考试安排: 采用开卷笔试的考核办法。 总评成绩构成比例为：平时成绩40%； 期末考试60%。 考试内容：第1章-第9章 12章 试题构成：选择10分；填空20分；简答50分；计算20分 样题 一、单选题（每小题 1分，本题共 10分） 1. 下面pn结中不属于突变结的是（ ） A.合金结 B.高表面浓度的浅扩散p+n结 C.高表面浓度的浅扩散n+p结 D. 低表面浓度的深扩散结 样题 二、填空题（每空 1分，本题共20分） 1. 表示________ 样题 三、简答题（每小题5分，共10小题） 1.图1是热平衡时pn结能带发生弯曲的示意图。试根据此图回答下列问题： （1） 势垒高度的大小是多少？（用图上变量表示）（） （2）平衡pn结能带最主要的两个性质是什么？ 样题 四、计算题（每小题5分，共4小题） 1. 电阻率为 的P型硅，计算室温时多子和少子浓度。（已知室温时空穴的迁移率为?p=500cm2/V.s ） 半导体物理学复习纲要要求1-9章 12章 ch1半导体中的电子状态 ch2半导体中杂质和缺陷能级 ch3半导体中载流子的统计分布 ch4半导体的导电性 ch5非平衡载流子 ch6pn结 Ch7金属-半导体结 Ch8M