最新半导体物理学第章.ppt

Prof.LEI 半导体物理学 雷天民 西Ⅱ-206 leitianmin@163.com 第三章 非热平衡状态下的半导体 半导体的非热平衡状态 复合理论 额外载流子的运动 电流连续性方程及其应用 半导体的光吸收 半导体的光电导和光致发光 复合理论 四、通过单一复合中心的间接复合寿命 当半导体中注入了额外载流子后，额外载流子寿命为 1、小注入状态 对有效复合中心p1≈n1n0，可以忽略，即 对于不是特别有效的复合中心（能级位于费米能级附近而远离禁带中线），n1?n0，因而不能忽略，少子寿命 复合理论 对于p 型材料，类似有 上式说明：有效复合中心总是基本上被多数载流子填满，少数载流子的小注入寿命决定于它们对少数载流子的俘获能力。 2、大注入状态 少子寿命在小注入寿命的基础上逐渐延长，成为一个与额外载流子密度有关的量。但在?pn0时趋于极限值 当rn≈rp时，其极限值是小注入寿命的2倍！（双极寿命） 复合理论 五、俘获系数与俘获截面 复合中心的俘获系数与载流子的热速度成正比，即 比例系数?具有面积的量纲，反映了复合中心俘获载流子的能力大小，称为俘获截面。 复合理论 3.2.3 表面复合 把单位时间通过单位面积表面复合掉的电子空穴对数定义为表面复合率。即 一、表面复合速度 S=??T