最新半导体表面一.ppt

前面曾经认为，在有外加电压的非平衡情况下，势垒两边界处的电子浓度将保持平衡时的值。对于空穴则不然。加正向电压时，空穴将流向半导体内，但它们并不能立即复合，必然要在阻挡层内界形成一定的积累，然后再依靠扩散运动继续进入半导体内部。这说明，加正向电压时，阻挡层内界的空穴浓度将比平衡时有所增加。因为平衡值p0很小，所以相对的增加就很显著。这种积累的效果显然是阻碍空穴的流动。 2）空穴对电流贡献的大小还决定于空穴进入半导体内扩散的效率。扩散的效率越高，少数载流子对电流的贡献越大。 通过分析，在金属和n型半导体的整流接触上加正向电压时，就有空穴从金属流向半导体。这种现象称为少数载流子的注入。空穴从金属注入半导体，实质上是半导体价带顶部附近的电子流向金属，填充金属中(EF)m以下的空能级，而在价带顶附近产生空穴。 加正向电压时，少数载流子电流与总电流之比称为少数载流子注入比，用?表示。对n型阻挡层来说 小注入时，?值很小。 在大电流条件下，注入比?随电流密度增加而增大。 在5.6中对探针接触的分析表明，若接触球面的半径很小，注入少数载流子的扩散效果比平面接触要强得多。因而点接触容易获得高效率的注入，甚至可能绝大