最新半导体二极管(用学时)有几个思考题？？.ppt

mA V E I R 伏安特性实验电路 2.3.2 伏安特性 2.3.2 伏安特性 硅管0.5V,锗管0.1V。 反向击穿 电压U(BR) 导通压降 外加电压大于死区电压二极管才能导通。 外加电压大于反向击穿电压二极管被击穿，失去单向导电性。 正向特性 反向特性 特点：非线性 硅0.6~0.8V,锗0.2~0.3V。 U I 死区电压 阳 阴 + – 阳 阴 – + 反向电流 在一定电压 范围内保持 常数。 2.3.3 主要参数 1. 最大整流电流 IF 二极管长期使用时，允许流过二极管的最大正向平均电流。 2. 反向击穿电压 VBR 3. 反向电流 IR 二极管反向电流急剧增加时对应的反向电压值。 最大反向工作电压VRM——实际工作时，为安全：  VRM ≈ VBR /2 ， 在室温及规定的反向电压下的反向电流值。  硅管：(nA)级； 锗管： (?A)级。 二极管的单向导电性 1. 二极管加正向电压（正向偏置，阳极接正、阴极接负 ）时， 二极管处于正向导通状态，二极管正向电阻较小，正向电流较大。 2. 二极管加反向电压（反向偏置，阳极接负、阴极接正 ）时， 二极管处于反向截止状态，二极管反向电阻较大，反向电流很小。 3. 外加电压大于反向击穿电压二极管被击穿，失去单向导电性。 4. 二极管的反向电流受温度的影响，温度愈高反向电流愈大。 第二章 半导体二极管及其基本电路 §2.1 半导体的基本知识 §2.2 PN结的形成及特性 §2.4 二极管的基本电路及其分析方法 §2.5 特殊二极管 §2.3 二极管 2.4 二极管的基本电路及其分析方法 2.4.1 半导体二极管等效模型： 1 理想模型： 理想二极管 (vD ＞0) 二极管导通 V F =0 r=0 开关闭合 (vD 0) 二极管截止 iD =0 r=∞ 开关断开 2 恒压降模型： (vD ＞ VF ) 二极管导通 vD = VF r=0 开关闭合 (vD VF) 二极管截止 iD =0 r=∞ 开关断开 2.4.2二极管电路分析举例 定性分析：判断二极管的工作状态 导通截止 否则，正向管压降 硅0.7V 锗0.2V 分析方法：将二极管断开，分析二极管两端电位 的高低或所加电压UD的正负。 若 V阳 V阴或 UD为正( 正向偏置 )，二极管导通 若 V阳 V阴或 UD为负( 反向偏置 )，二极管截止 若二极管是理想的，正向导通时正向管压降为零，反向截止时二极管相当于断开。 Eg.1 简单硅二极管电路：  R=10K? 解：分析可知二 极管正偏： 1 理想模型： 2 恒压降模型： 求:VDD = 10V时  I D 及V D 硅二极管电路如图，求：UAB V阳 =－6 V V阴 =－12 V V阳V阴 二极管导通 1、理想模型：VD=0V，UAB =－ 6V 2、恒压降模型，VD=0.7V，UAB =－ 6.7V Eg.2： 取 B 点作参考点，断开二极管，分析二极管阳极和阴极的电位。 在这里，二极管起钳位作用。 D 6V 12V 3k? B A UAB + – + - ※ 两个二极管的阴极接在一起 取 B 点作参考点，断开二极管，分析二极管阳极和阴极的电位。 V1阳 =－6 V，V2阳=0 V，V1阴 = V2阴= －12 V UD1 = 6V，UD2 =12V ∵ UD2 UD1 ∴ D2 优先导通， D1截止。 1、理想模型: VD2=0V ，UAB = 0 V Eg.3: D1承受反向电压为－6 V 流过 D2 的电流为 求：UAB 在这里， D2 起钳位作用， D1起隔离作用。 B D1 6V 12V 3k? A D2 UAB + – Eg.4 电路如图， (设D为理想二极管）  判断二极管工作状态，并求输出电压。 D导通 D2优先导通 D1截止 D2优先导通 D1截止 a1 a2 b1 b2 VAO =-15V VAO =0V VA0 =－4V 参考点 ui 3V，二极管导通，可看作短路 uo = 3V ui 3V，二极管截止，可看作开路 uo = ui 已知： 二极管是理想的，试画出 uo