直流磁控溅射法备氧化锡薄膜阻变存储器的研究.pdfVIP

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2016-02-27 发布于贵州
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直流磁控溅射法备氧化锡薄膜阻变存储器的研究.pdf

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直流磁控溅射法备氧化锡薄膜阻变存储器的研究

4 .4 .2 氧化镍薄膜的表征 릆 44 4.5 编程控制改善存储单元存储特性 릆 46 4 .5.1 器件制备方法 릆 46 4 .5.2 程序设计 릆 46 4 .5.3 实验结果 릆 48 4 .6 本章总结 릆 50 第五章透明或柔性 811(\ 薄膜电阻存储器的研究 릆 52 5.1릆引 g 릆 二릆 52 5.2릆IZ O /SnO x/IZ O 透明存储单元 릆 52 5.2.1 IZ O 透明导电氧化物薄膜 릆 52 5.2.1透明存储单元 IZ O /SnO x/ IZ O /G lass 的制备方法 릆 53 5.2.2 透明存储单元的光学特性 릆 53 5.2.3 透明存储单元的电学特性 릆 54 5.3 纸基 N i/SnO x/M oO x/M o 存储单元的研究 릆 55 5.3.1 纸基 N i/SnO x/M oO x/M o 存储单元的制备方法 릆 55 5.3.2 纸基 N i/SnO x/M oO x/M o 存储单元的形貌表征 릆 56 5.3.3 纸基 N i/SnO x/M oO x/M o 存储单元的电学特性 릆 57 5.4 本章总结 릆 59 第六章全文总结 릆 60 参考文献 릆 63 附录硕士生在读期叫的科研成果 릆 66 M 릆 67 2 摘要本文釆用直流磁控滅射法制备了二氧化锡（Sn0 2) 为阻变层的薄膜阻变存