等离子体浸没离注入改性氧化铟锡薄膜实验研究.pdfVIP

6 .2 未 来 ：：丨作 展 望 60 m m 62 摘 要 摘 要 有机 电致发光器件 ，又称有机发光二极管 O（rganic L ight Em itting D iode, O L E D ), 是 一种 能直 接 将 电能转 化 为 光 能 的载 流 子 注 入 型 固体 发 光 器 件 ， 由于 其驱动 电压低 ，能耗 小 ，发光亮度 高 ，并且 在 材料 的选择上灵活广泛 ，易于 实现 全 色 显示 ，与无机材 料 相 比柔性 强 ，易加 工 ，因此无 论 是显示还 是照 明领 域 ，都 展 示 出其独特 的魅 力 。在 O L E D 真 正 能替代 传 统技 术进入 一 些 更深 更广 的应 用 领 域 之 前 ，尚存 一 些值 得进 一 步挖 掘 的提 升 空 间，如进 一步提 高光 效 ，使用 寿命 ， 降低 成 本等 大批 量 生产 所 必 须面 对 的 问题 。 有 机 发 光 二 极 管 的发 光 原理 和 无 机 发 光 二 极体 类 似 ，元 件 在 正 向直 流 偏 压 下 ，将 驱动 电子 与空穴分别 由阴极 与 阳极注入 元件 ，载 流子经过输 运在有机物 中 复合释 放 能量 ，激 发有机 荧光分 子 ，荧光 分 子 退激 发 光 。因此 ，降低 电极 与有机 层之 间能级 势垒 ，提 高及 平衡载 流 子注入 ，增加有效 复合是改善器 件性 能 的一个 重 要 因素和 可 行途 径 。 本 论文 鉴 于现 在 在 O L E D 研 究 中使 用 的最广 泛 的 阳极材 料 —— 氧 化 铟 锡 (In dium T in O x ide, IT O ) 透 明导 电薄膜 与相 邻 的空 穴 传输 层 的最 高 占据 分 子 轨 道 H（ighest O ccupied M olecular O rbit, H O M O ) 存在一定势鱼 ，导致无法进一步 降低 驱动 电压和增加 阳极 空穴注 入 ，影 响 O L E D 整体 性 能 ，提 出 了通过 IT O 表 面 处 理 的途 径来对 IT O 阳极表 面 改性 ，改变 IT O 表 面 形态和 氧 原 子含 量 ，提 高 表 面 功 函数 ，从而 降低 与空穴传 输 层 的 H O M O 能级之 间的势垒 ，提 高器件 的性 能 。同时 ，通 过对 以往 传 统 的等 离子 体表 面 处理和化 学 处理 的调研 我们 发现 ，传 统 的处理方 法 对 IT O 表 面 的改性 效 果持 续 时 间较 短 ，氧 原子 含 量 提 升效 果较 不 明显 ，在 本 文 中我 们 提 出 了 以等 离 子 体 浸 没 离 子注 入 P（lasm a Im m ersion Ion Im plantation, PH I) 的方法来处理 ITO 阳极 ，使用氧等离子体对 ITO 表面进行离 子 注 入 ，清 除表 面污 染 ，改变 表 层 及 一 定深 度 内的氧 、铟 、锡 三 种 原子 的 比例 ， 提 高 IT O 表 面 功 函数 。 实验 中首先我们通 过 调研确 定 了选择 了氧气作 为等 离子体激 发源 ，通 过氧 原 子注入可 以有效 降低 IT O 表面氧 空位 的浓 度 ，氧 空位 和锡取代 均 是构成 IT O 导 带 电子 的施 主 能级之 一 ，氧 空位 浓 度 降低 能使 费米 能级 发生偏 移 ，提 高表 面功 函 数 。 其 次我们研 究 了偏压源 的脉冲偏压大 小对 改性 效果 的影 响 。对 10 片样 品施 加 了从 lkV ? 10kV 的脉冲偏压 ，结果显示 经 P III注 入 实验 的 IT O 样 品表层氧含 量 显著提 高和碳污染减 少 ，但 并未 随脉冲偏压 的提 高而 显示 出规律 性 ，分析可 能 是 设备 原 因或者是实验 中样 品保存 不善等 原 因导致 。 在此基础上我们将 另一套 现