电化学原子层沉积研究现状及沉积体系的构建.pdfVIP

云南师范大学学报(自然科学版) JournalofYunnanNormalUniversity 2015年 1月 35卷 1期(Vo1．35No．1) DOI：10．7699／j．ynnu．ns一2015—007 电化学原子层沉积研究现状及沉积体系的构建 王立世 ， 张国庆。， Marie—ChristineRecord， l、智翔 ， 孙力 (1．湖北工业大学 机械工程学院，湖北 武汉 430068；2．湖北工业大学 绿色轻工材料湖北省重点实验室， 湖北 武汉 430068；3．云南师范大学 学报编辑部，云南 昆明650092；4．InstitutMat6riaux Micro61ectroniqueNanosciencesdeProvence，Aix-MarseilleUniversit，Marseille13397，France) 摘 要： 近年来 ，电化学原子层沉积 (Electrochemicalatomiclayerdeposition，E_ALD)技术在制 备催化 、光电及热电等功能薄膜的研究和应用方面取得了较大进展．概述了E-ALD的发展历史、沉积原 理 、研究及应用情况，介绍了课题组研发的E-ALD系统的构成和生长过程的控制机理． 关键词： 电化学原子层沉积；电化学原子层外延；功能薄膜 ；沉积系统 中图分类号： TQ15 文献标志码 ： A 文章编号： 1007—9793(2015)01—0035—07 而膜层的厚度可 由沉积循环次数进行精确的控 1 引 言 制l2。]．ALD的表面反应均具有 自限制性 (self- limiting)，利用其这种性质，可交替沉积组成化合 电化学原子层沉积 (electrochemicalatomic 物各组成元素的原子层并对沉积物的结构进行的 layerdeposition，E_ALD)是一种 电化学合成方 控制，传统的ALD技术通过温度来利用这种 自 法，它通过对单个电解液组分的电位控制，在异质 限制性，而 E-ALD技术则通过控制电位实现． 电极表面交替电沉积原子层而合成具有特定功能 与其他薄膜沉积技术相比，E-ALD是在室温 的金属、合金及半导体化合物．与真空条件下的沉 和大气压下进行，因而具有 以下优点：(i)膜层和 积工艺相 比，电化学沉积曾被认为具有易于污染、 基体之间没有热失配，因为沉积过程是在室温下 不易精确控制等缺点，但作为一种薄膜沉积方法 进行，这可以降低机械 内应力、变形以及增强应 仍得以延续下来．伴随着铜大马士革工艺 (Cu 用时的物理性能稳定性；(ii)沉积后无需对沉积 Damasceneprocess)在超大集成电路的铜互联中 膜层进行退火处理；(iii)处理成本可以降低到民 的大规模应用，E_ALD技术像其他薄膜沉积技术 用范围内可接受的水平． 一 样洁净的观点开始为人们所接受[1]． E—ALD是 电化学沉积 (electrochemicaldep— 2 欠 电位沉积 osition，ECD)和原子层沉积 (atomiclayerdepo— sition，ALD)的结合．与传统的ALD技术类似 ， 欠 电位是E-ALD技术 中控制 电位方式的一 pALD沉积过程中，也是将基体交替暴露于前驱 种，其是 比能斯特平衡 电位 (Nernstequilibrium 体中，从而在基体表面反应形成特定成分的单层， potentia1)稍正 的电位．在欠 电位沉积 (Underpo一 * 收稿 日期：2014—10—21 基金项 目：绿色轻工材料湖北省重点实验室基金资助项 目([201312—14，[201312—6)；国家自然科学基金资助项 目； 云