电化学沉积法制备Cu2S薄膜及EPIR效应.pdfVIP

第28卷第5期 平顶山学院学报 V01．28No．5 2013年 lO月 JournalofPingdingshanUniversity Oct．2O13 电化学沉积法制备 Cu2S薄膜及 EPIR效应 王红霞，罗昌俊，阚芝兰，石大为，杨昌平 (湖北大学 物理学与电子技术学院，湖北 武汉430062) 摘 要：以Na2S溶液为沉积液，在一定的温度、pH值、电压和时间下，采用电化学沉积的方法，在铜衬 底上生长出一层质地均匀的蓝色Cus薄膜．通过XRD及SEM对样品的化学成分及表面与截面形貌进行表征， 对A Cu2S／Cu／Ag结构进行直流I—V及电脉冲诱导电阻转变(EPIR)效应测试．结果表明A Cu2S／Cu／Ag结 构的Ag／Cu2s结点处存在明显的EPIR效应，而且相对于单个Ag／cu2s结点而言，Ag／cu2S双结点具有更大的结 点电阻且EPIR效应更明显．另外，Ag／Cu2S／Cu／Ag结构的EPIR效应还与测量的脉冲参数和测量温度有关．对 于本样品而言，最佳测量温度为室温，脉冲宽度 t0为0．00018． 关 键 词：电化学沉积；Cu2S薄膜；电脉冲诱导电阻转变；结电阻；脉冲参数 中图分类号：0441．6 文献标识码：A 文章编号 ：1673—1670(20l3)o5—0039—05 通常，铜的硫化物在室温下有4种不同的稳定 0 引言 相，即富铜相的cus、Cu．95S、cu．s和富硫相的 近年来，由于电子产业的飞速发展，使得基于 CuS[1 ． 当Cus中 值在2和1之间变化时，其 阻值高低变化来记录存储数据信息的高密度、高速 电阻率也从 1OQ ·cm变到 10I4Q ·cm[埔-19]．关 度和低功耗的非易失性存储器 具备了巨大的应 于铜的硫化物能带宽度的研究有很多，范围从 1 用前景，一种由外部电流和电压控制的电脉冲诱导 eV到3eV，但对铜的硫化物 EPIR效应的研究鲜 电阻转变效应 (EPIR) 的现象也受到了越来越广 有报道．有关铜的硫化物薄膜的制备方法多种多 泛的关注．这种现象即高、低两个阻态之间可以通 样，例如真空蒸镀、脉冲激光沉积(PLD)、电化学沉 过改变脉冲方向实现可逆转换 ，当加载正向脉冲电 积和喷雾热解法 (SPD)等方法．笔者采用的是低成 场之后，测量其电阻，其电阻值置于低阻态，并可以 本、操作简单、高产量的电化学沉积的方法制备 长时间维持不变；当加载负脉冲后，其电阻跃升至 cu：s薄膜，并对其进行表征和分析，对 Ag／cu：s／ 高阻态并保持不变．自从人们在 PCMO中发现有 Cu／Ag结构的EPIR效应进行研究． EPIR效应以后 ，越来越多的物质诸如LaSrMnO J， 1 实验方法 NdSrMnO，LaCaMnO，PuCaMnOl4 等 陶瓷和 sr- TiO3[I1。。Cu2O[n-12]TiO2[埒I1等过渡金属氧化 以铜片(纯度：99．9％)为衬底．沉积前，铜片 ， ， 物薄膜也被发现有这种新颖的物理现象．目前，由 需要经过压平、打磨等机械处理后再作如下化学处 于EPIR效应可在室温发生，高低阻态转换速度快 理．首先用质量分数为 10％的NaOH溶液浸泡 10 (10ns量级)、可逆、阻态保持力长、非易失，并且 S，洗去表面油脂 ，再用质量分数30％的稀硝酸溶 存储单元结构简单，面积小，理论存储密度高等特 液浸泡约 10s，中和掉前一步所残留的烧碱并除去 点，能很好地满足新一代高密度、高速度