石墨烯薄膜的前驱气体预热化学气相沉积快速制备方法.pdfVIP

能 材 料 2015年第16期(46)卷 文章编号：1001—9731(2015)16—161lO一05 石墨烯薄膜的前驱气体预热化学气相沉积快速制备方法 余崇圣 ，魏大鹏h。 (1．中国科学院 重庆绿色智能技术研究院，跨尺度制造技术重庆市重点实验室，重庆 400714； 2．重庆墨希科技有限公司 重庆市石墨烯薄膜制备工程技术研究中心，重庆 4013292) 摘 要 ： 石墨烯具有优异的光学、电学和力学等性能 间才能达到生长石墨烯的温度条件 (约 1000℃)，同 而备受人们关注，但是 目前石墨烯材料 受产量、尺寸和 时CVD管炉受未经预热气体的注入冲击导致腔体 内 均匀性等 因素的限制 ，以至于在终端产 品上还没有形 部温度下降，需要一定时间重新升温至生长温度条件 ， 成真正的应用。主要 阐述 了一种利用前驱气体预热化 这就很大程度制约了石墨烯薄膜的制备效率。更为有 学气相沉积法(PT-CVD)快速制备大面积单层石墨烯 效的制备方法为前驱气体预热化学气相沉积法生长工 薄膜方法，实现石墨烯薄膜批量制备和大面积转移在 艺 ，不仅提高了石墨烯生长效率 ，而且获得表面均匀一 300mm×300mm 面积 的聚对苯二 甲酸 乙二醇酯衬 致性 良好的石墨烯。 底上，并获得在400～800nm 光波段下大于 95 的光 透过率和 (1464-15)Q／sq的方块 电阻。分别利用扫 2 制备方法 描 电镜 、共聚焦拉 曼光谱仪、紫外一可见分光光度计和 利用高纯度 甲烷气体 (CH4，99．999 )和氢气 四探针设备等检测了前驱气体预热化学气相沉积法制 (H )作为前驱气体充分的在加温腔体进行混合预热， 备的石墨烯薄膜 的均匀性、透过率和方块 电阻等参数 秘黟 当温度上升到约 1000。C后 ，此时与 CVD生长腔体 内 特性。最后 ，通过 解决 了石墨烯微纳米线路 结构和真 彝姆豁谚 部温度一致 ，将预热完成的甲烷和氢气前驱气体导入 空贴合等关键技术实现 了石墨烯真实多点 电容式触控 秘矗姆豁 CVD腔体 内部 ，在铜箔金属催化作用下 ，甲烷分子 的 麓 蔫 ∞ 面板 ，并成功运用在 5．5寸手机终端产品应用上。 碳原子与氢原子开始裂解 ，碳原子沉积在铜箔表面成 秘 关键词： 石墨烯 ；前驱气体预热化学气相沉积 ；触控 核 ，碳原子开始进行游离组合排列 ，相互连接 ，形成一 面板 个碳分子，随着所连接的碳原子数阳量不断增多 ，这个二 中图分类号： TB381；TM242 文献标识码 ：A 维的碳分子平面不断扩大 ，分子也不断变大，最终在催 DOI：10．3969／i．issn．1001—9731．2015．16．019 化铜箔金属表面形成完整的单层石＼／墨烯薄膜 (图1)。 1 引 言