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(1) 近地垂直天线 如图(b)所示。其镜像天线为正像,正像的波腹电流Im=Im,则此天线的辐射阻抗为: (5.91) (2) 近地水平天线 如图(a)所示。其镜像天线为负像,负像的波腹电流 Im=-Im,则此天线的辐射阻抗为: (5.92) 理想导电平面上垂直和水平半波对称振子的阻抗随架设高度H的变化曲线如书P128图4-11所示。可见,架设高度增加时,其辐射阻抗趋于自由空间的阻抗。 3、近地垂直和水平二元阵情况 近地二元阵考虑镜像之后,可看作是四元阵,如下图所示。二元阵各单元的辐射阻抗为 式中,I1m、I2m分别为天线1和2上的波腹电流; I1m、I2m分别为镜像天线1和2上的波腹电流; Z11、Z22分别是天线1和2的自辐射阻抗; Z12、Z21分别是天线1和2的互阻抗; Z11、Z22分别是天线1和2与其镜像间的互阻抗; Z12 、Z21为天线1与天线2的镜像间的互阻抗; (5.93) 返回 (1) 近地水平二元阵 有I1m=-I1m, I2m=-I2m,由式(5.93)得 (5.94) 若二元阵中有一个天线无源, 如设天线2无源, Zr2=0,则 又因 , 得 (5.95) 链接 (2) 近地垂直二元阵 有I1m=I1m, I2m=I2m,由式(5.93)得 (5.96) 在垂直二元阵中若设天线2无源, Zr2=0,则 又因 , 得 (5.97) 如果近地二元阵各单元电流等幅同相I1m=I2m,则上面的表达式就简单了。各阻抗元素可查表求得,从而可计算各单元的辐射阻抗,近地二元阵的总辐射阻抗就可确定(ZΣ=Zr1+Zr2),若已知近地二元阵的方向图函数,就可由式(5.74)计算近地二元阵的方向性系数。 (5.74) 总辐射电阻RΣ计入地面影响后对称振子的辐射阻抗,亦等于对称振子与其镜像组成的振子阵的总辐射电阻的一半,所以方向系数在镜像阵基础上提高一倍。 则 (5.45) 式中, 为振子1的总辐射阻抗; (5.46a) 为振子2的总辐射阻抗; (5.46b) 为振子1单独存在时的自阻抗; (5.46c) 为振子2对振子1影响的感应互阻抗; (5.46d) 为振子2单独存在时的自阻抗; (5.46e) 为振子1对振子2影响的感应互阻抗; (5.46f) 返回 根据互易原理 (5.47) 如果振子1和振子2的几何尺寸相同,则 对式(5.45)的第一和第二式两边分别乘以I1m和I2m,并记,U1= I1m Zr1,U2= I2m Zr2 ,则得等效阻抗方程: (5.48) 由此关系可以得到二元耦合振子天线的等效电路,如下图所示。 对于二元耦合振子,振子的自阻抗前面式(5.32)已经求得,根据互易原理,我们只需计算互阻抗Z12即可。 链接 由 和 得 (5.49) 要计算任意排列的二元耦合对称振子之间的互耦电场Ez21是较复杂的。然而,在实际应用时对称振子组成的阵列中,各振子均是平行排列的,且几何尺寸相同(即l1= l2=l)。这种情况下的计算是较容易的。 1. 平行等长对称振子二元阵的互阻抗 平行二元耦合对称振子的互阻抗可由式(5.49)计算,此式中的互耦电场是振子2在振子1的表面产生的切向电场,它可由前面式(5.25)计算,即 返回 (5.50) 在如图z′坐标系下,式中 振子1上电流分布为 (5.51) 把式(5.50)和(5.51)代入(5.49)得 链接 或 (5.52) (5.53) (5.54) 式中, (5.55a) (5.55b) (5.55c) (5.55d) (5.55e) (5.55f) (5.55g) 由式(5.53)、(5.54)和(5.55)可计算平行排列的等长二元耦合对称振子之间的互阻抗,并可得到半波对称振子互阻抗表。 对两种特殊排列形式,即共轴排列和并排平行排列, 绘出了互阻抗Z12随间距的变化曲线,如下图所示。 两个耦合振子之间的互耦强弱,主要反映在互阻抗值上。由上面两图可见: ①互阻抗值随间距的变化呈波动变化,而且间距愈大,互阻抗值逐渐变小,呈“震荡衰减状”,这说明两振子之间的互耦随间距增大而减小; ②并排平行排列的两个振子之间的互阻抗的变化幅度比共轴排列的要大些,说明前者的互耦要强些。
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