反应离子刻蚀的算机仿真.pdfVIP

摘要 MEMS工艺设计与实验验证的周期长，成本高，因此准确有效地模拟MEMS加工工艺非常迫切。 同时，一个具体的MEMS器件加工过程将会涉及到较多的工艺步骤，为了有效的控制加工过程和选 Ion 择工艺参数，对工艺流程的设计和模拟是必不可少的。由于反应离子刻蚀(RIE。Rea嘶ve Etching) 具有较快的刻蚀速率，并且是具有高选择比的各向异性刻蚀，所以反应离子刻蚀在MEMS加工中得 到了广泛地应用，是重要的MEMS加工工艺之一． 反应离子刻蚀是个极其复杂的过程，构建MEMS工艺CAD系统，精确模拟反应离子刻蚀的过 程是关键之一。有效、精确的模拟反应离子刻蚀过程，并且与其他MEMS加工工艺，例如各向同性 的设计和制造具有重要意义。 论文首先简单介绍了MEMS与MEMSCAD；接着简单介绍了MEMS加工中的常用刻蚀工艺； 然后介绍了反应离子刻蚀的常用模型以及常用模拟算法；在分析了反应离子刻蚀机理后，分析了论 文采用的工艺模型，采用线算法模拟反应离子刻蚀过程，并采用线算法和元胞算法的混合算法对模 拟过程进行了改进，采用C++语言编制模拟软件；软件能够较为精确的模拟反应离子刻蚀过程，能 够模拟非对称掩膜情况下材料的刻蚀过程，能够模拟反应离子刻蚀的Lag效应，能够模拟不同温度， 不同离子能量条件下的刻蚀，以及能够与其他加工工艺模拟相结合，模拟多道加工工艺的过程。最 后比较了一定条件下的刻蚀结果和模拟结果，比较了Lag效应的实验结果和模拟结果，比较了多道 加工工艺结合的实验结果和模拟结果，两者吻合的较好。 关键词： MEM$，反应离子刻蚀，计算机辅助设计，线算法和元胞算法的混合算法，模拟软件 Abstract TheMEMS v耐fieationa辨a term∞d desi舯∞di拯expeftmental 10ng hi曲costprocess,∞iCs tosimulatetheMEMS s锄e a心 nec鹳sary processaccurately强de伍ci料蚶y．At也etiIrle，manyprocesses involv酣tom锄ufhcturcMEMSdevils．∞tIIesimullionofa isdesi化d seri薛ofmanufacturingproees辩s tDcomrolthe e丘icienn rateof of y．Since廿le processes卸d0p矗mize曲e口a舢黜efsoroeesses ete埘ng lon is RjEisa RlE(Reactive etching，R正iS Etcmn曲processlarge朗d hi曲seleetivhy粕i咖icwidely usedintlle oftlle MEMS ofMBMS鞠djtis彻e most manuf∞turing importantpro∞sses． RIEisa RIE is tofo彻aMEMSCAD complieatedproc∞s．S-蚰ulating importan