像探测器要点.pptVIP

2.有源CMOS像素传感器(APS ——Active Pixel Sensor) * 信噪比高； 填充系数小； 有源像素技术只是在每一个像素单元内集成一个或多个放大器， 使每一电信号在光敏元内得到放大。 APS-CMOS图像传感器的结构如图所示。它是一种行列选通输出像素信号的结构。在某一时刻像素阵列由行选择逻辑控制选中一行；这一行中的某个像素又通过列选择逻辑的控制，被读出至列总线。列总线再将选中的像素信号传输到对应的模拟信号处理器。 * 4.7 固体图像传感器主要特性参数 1. 光谱响应特性 2. 灵敏度 图像传感器的灵敏度标志着器件光敏区的光电转换效率，用在 一定光谱范围内单位曝光量下器件输出的电流或电压幅度来表示。 器件灵敏度S为 Es为饱和曝光量，Qs是饱和电荷。 * 3. 暗信号及动态范围 （1）暗信号包括积分暗电流；由于时钟开关瞬态通过寄生电容 耦合进入视频线的固定图形噪声；热噪声三部分。 （2）动态范围 图像传感器的动态范围是指输出饱和信息与暗场噪声之比值，是一个随定义不同而变化的参数。 例如，它可定义为： * 4.分辨率 分辨率有时也称为鉴别率或分解力，是用来表示能够分辨图像 中明暗细节的能力。 分辨率有两种表示方式，一是极限分辨率；二是调制传递函数。 （1）极限分辨率是在一定宽度内，人眼能分辨的最细线条数。 （2）设调幅波信号的最大值为Amax，最小值为Amin，则调制度 定义为 调制传递函数(MTF)的定义为：在各个空间频率下，图像传感器的 输出信号的调制度Mout(ν)与输入光信号调制度Min(ν)的比值，即 ν为空间频率。 * 5. 工作频率 工作频率是指视频信号的采样频率。 6. CCD的特性参数 由于CCD图像传感器的工作原理不同，除了一般图像传感器 的特性外，还有它特有的一些特性参数。 （1）转移效率η 设原有信号电荷为Q0，转移到下一个电极的电荷为Q1，其比值 定义为传输率，即 若失败率为ε，则η+ε=1.当信号电荷转移N个电极后的电量为QN时， 总效率为 * （2）工作频率 CCD工作频率的下限主要受暗电流的限制。为了避免热生少数 载流子对注入电荷的影响，注入电荷从一个电极转移到另一个 电极所用的时间ttra必须小于少数载流子的寿命τ。对于三相CCD, 转移时间满足 CCD工作频率的上限主要电荷转换慢限制。为了使电荷有效转 移，对于三相CCD，其转移时间ttra应为 * （3）暗电流特性 CCD图像传感器在既没无光注入也无电注入的情况下的输出 信号称为暗信号，是由暗电流引起的。 产生暗电流的根本原因是半导体的热激发，主要包括三部分： 一是耗尽区里产生复合中心的热激发；二是耗尽区边缘的少数 载流子的热扩散；三是界面上的产生中心的热激发。其中第一项 的贡献是主要的， 所以，暗电流受温度的影响较大，且与光积分时间成正比。 * CCD和CMOS图像传感器比较 原理差异: CMOS的信号是以点为单位的电荷信号，而CCD是以行为单位的电荷信号，前者更为敏感，速度也更快，更为省电。 灵敏度差异：由于CMOS传感器的每个象素的感光区域远小于象素本身的表面积，因此在象素尺寸相同的情况下，CMOS传感器的灵敏度要低于CCD传感器。 成本差异：CMOS传感器采用一般半导体电路最常用的CMOS工艺，可以轻易地将周边电路(如AGC、CDS、Timing generator、或DSP等)集成到传感器芯片中，因此可以节省外围芯片的成本；除此之外，由于CCD采用电荷传递的方式传送数据，只要其中有一个象素不能运行，就会导致一整排的数据不能传送，因此控制CCD传感器的成品率比CMOS传感器困难许多，即使有经验的厂商也很难在产品问世的半年内突破 50%的水平，因此，CCD传感器的成本会高于CMOS传感器。 分辨率差异：如上所述，CMOS传感器的每个象素都比CCD传感器复杂，其象素尺寸很难达到CCD传感器的水平，因此，当我们比较相同尺寸的CCD与CMOS传感器时，CCD传感器的分辨率通常会优于CMOS传感器的水平。例如， 210万象素OmniVision的 OV2610 CMOS传感器，其尺寸为1/2英寸，象素尺寸为4.25μm，但Sony在2002年12月推出的ICX452，其尺寸与 OV2610相差不多(1/1.8英寸)，但分辨率却能高达513万象素，象素尺寸也只有2.78mm的水平。 * 噪声差异：由于CMOS传感器的每个感光二极管都需搭配一个放大器，而放大器属于模拟电路，很难让每个放大器所得到的结果保持一致，因此与只有一个放大器放在芯片边缘的CCD传感器相比，CMOS