ZnOCdO复合薄膜的制备及其性能研究.pdfVIP

助 曹孝 抖 2013年第7期(44)卷 ZnO／CdO复合薄膜的制备及其性能研究 郑必举，胡 文 (昆明理工大学 材料科学与工程学院，云南 昆明 650093) 摘 要： 通过脉冲激光沉积法首次制备 了ZnO／CdO 率。CdO是一种 良好的半导体材料 ，它具有非常低 的 复合薄膜 。采用 x射线衍射 、光致发光和 电阻率测量 电阻率 ，在 1O Q ·cm 数量级，这是 由于其本身具有 分析 了薄膜的结构、光学和 电学性能。光致发光谱表 大量 的 O空位和 Cd间隙 ]。所 以推测 ZnO与 CdO 明所有 ZnO／CdO复合薄膜都具有相 同的PL发光峰， 复合薄膜应该是提高其 电导率的新方法 。本文报道了 保持 了未掺杂 ZnO的发光特性 。同时，复合薄膜 的电 脉冲激光沉积法制备 ZnO／CdO复合薄膜及其结构 、 阻率大大地下降了几个数量级 ，接近了纯 CdO薄膜的 光学和电学性能的研究。 电阻率。这可 以用 Matthiessen公式来解释。与传统 2 实验过程 掺杂方法相 比，制备的 ZnO／CdO 复合薄膜可 同时具 有 ZnO的发光特性和 CdO 的电学特性 ，从而获得单 脉冲激光沉积设备真空沉积室 内有 4个靶托 ，可 一 TCO材料所不具备的性能，满足某些特殊需求。 以通过公转来更换工作靶材。复合薄膜的制备使用高 关键词： 薄膜 ；脉冲激光沉积 ；透明导电氧化物；光致 纯金属 Zn(99．99 )靶和 Cd(99．99 )靶，在 10Pa氧 发光 气气氛下，基底温度为 300℃的条件下，激光溅射沉积 中图分类号： TB383．2 文献标识码 ：A 薄膜先从 Zn靶开始 ，沉积 5min的 ZnO薄膜 ；然后转 文章编号 ：1001—9731(2013)07—0996—05 动到Cd靶 ，在 ZnO薄膜上继续沉积 CdO薄膜 。这个 过程重 复获得 10层 ZnO／CdO 复合 结构 ，顺序为 1 引 言 Zn0／CdO／ZnO…／CdO。为了获得不 同的 Cd／(Zn+ 过去 20年以来 ，由于透明导电氧化物薄膜 (TCO) Cd)原子 比，改变 CdO 层 的沉 积时 间分 别为 15、3O、 在当前科技具有很多重要 的应用 ，所 以对它们的研究 45、6O、75和 90s，而 Zn0层 的沉积时间一直保持为 越来越得到重视。TCOs薄膜能够得 以广泛应用主要 5min。根据薄膜 的沉积速率 (ZnO为 0．1nm／s，CdO 依赖于其高的导电率和光透过度 。因此，很多研究者 为 0．07nm／s)，计算得 到每层 ZnO 的厚度保 持在 通过不同的方法来优化改良TCOs的性能，包括常用 30nm，而CdO层 的厚度分别约为 1、2、3、4、5和 6nm。 的掺杂方法和制备多组分的混合物薄膜。在这些薄膜 实验制备 了6个不同 CdO含量 的 ZnO／CdO复合薄 中，ZnO是其中重要 的一种材料。ZnO具有宽的禁带 膜样品。 宽度 ，具有在紫外 可见光范 围内高 的透过率 ，而且还 采用 x射线衍射仪 (RigakuDymax)鉴定薄膜 的 具有低毒性 、成本低廉和减少环境污染等优点口]。但 相组成、晶体结构和 晶体 的择优取。使用 日本 Shi— 是未掺杂 ZnO薄膜并不具有 良好 的电导率 ，例如 ， madzu公司生产的JSM6700F型场发射扫描 电子显微 ZnO薄膜 的方块 电阻可达 到 600M Q／口 ]。Sahay 镜来观察薄膜 的表面形貌，同时