微机电系统功能材料微机械制造技术摘要.ppt

第二章 微机电系统功能材料 MEMS 常用材料 半导体材料：硅及其化合物等。 电致伸缩材料：压电陶瓷、氧化锌、石英等。 磁致伸缩材料：镍铁合金等。 形状记忆材料：镍钛合金等。 其它：特殊功能聚合物、复合材料及人工构造薄膜材料、电流变液或磁流变液材料、纳米相材料等。 选用依据及实例： 具体设计时，应根据微型元器件的功能，选用能获取系统性能的材料。 例如、对于起制动作用的器件，应选用压电陶瓷、石英、镍钛记忆合金等材料；用做器件和衬底的绝缘层，则可选用硅的氧化层 或 等。 硅及其化合物 材 料 1、单晶硅； 2、多晶硅； 3、硅－蓝宝石； 4、化合物半导体材料； 5、SiC薄膜材料。 导体、半导体及绝缘体 导 体：电阻率 半导体：电阻率 绝缘体：电阻率 常用材料的电阻率 硅材料特性 1、硅在集成电子线路和微电子器件生产中有着广泛的应用，主要是利用硅的机械特性和电学特性。 2、特殊的晶体结构使其具有各项异性，通过掺杂获得的p型硅和n型硅具有不同的导电性能和机械性能。 3、储量丰富，成本低；材质的内含杂质极少，易于提纯，纯型硅的杂质含量可降至十亿分之一，因而本身的内耗少，力学性能稳定。 4、硅材料质量轻，密度是不锈钢的 1／3.5。 5、弯曲强度高，为不锈钢的3.5倍。 6、硅的熔点高（1400 ），约为铝的两倍，高熔点使其具有良好的高温稳定性。 7、硅的热膨胀系数比钢小8倍，比铝小10倍。 8、具有很好的导热性，是不锈钢的5倍。 9、机械品质因数可高达 ，硅没有机械迟滞性能，是理想的传感器和致动器材料。 10、与微电子集成电路工艺兼容，易与微机械和微电子线路集成；便于实现批量化生产。 硅的晶体结构 对于硅的原子，硅的晶格几何结构并不均匀，但是硅基本上是面心立方体晶胞。典型的面心立方单位晶胞如图所示。 一个硅的单位晶胞有18个原子，其中8个原子在角部，6个原子在面上，4个原子在内部。 硅晶胞的主平面 前平面（100）、对角面（110）、倾斜面（111） 三个主平面（晶面）上的硅原子 硅材料的各向异性 （111）平面上相邻原子间的晶格距离最短，使该平面的原子间的吸引力大于其它两个平面。同时，该平面包含单位晶胞面心的四个原子的三个，因此，该平面晶体生长最慢，刻蚀等加工过程进行的也最慢。 单晶硅的生产 生产单晶硅盘或“硅片”的步骤如下： 原材料的准备和清理；高纯和多晶硅的生产；单晶硅的生长；单晶硅的机械加工。 硅原材料的制取 原料硅可以由原材料石英砂进行还原而制得。 这一提取过程在用碳作电极的电弧炉中进行，可以得到纯度为98％的“冶金级硅”。 单晶硅的提纯 经过连续分馏、逆向反应及气化分离，可以得到固态的“电子级硅”，其纯度可达 :1，它可以作为单晶硅生产的原料。 单晶硅的生长或“拉制” 常用方法：Czochralski(简称为CZ法)和悬浮区法。 硅 CZ 法提纯原理 单晶硅的机械加工 硅的掺杂 N型硅和P型硅－半导体材料 P型硅是在纯硅材料中加入了硼（B）原子：由于B原子外面带有3个正电荷，这样当两种原子结合到一起形成共价键时，产生空穴。 N型硅是在纯硅材料中加入了砷（As）或磷（P）原子：由于硅原子外面为带有4个正电荷，而As或P原子外面带有5个正电荷，这样当两种原子结合到一起形成共价键时，产生游离电子。 掺杂破坏的纯硅材料电子的平衡，促使电子流动加剧，导电性能得到提高。掺杂浓度越高，电阻率越低，越容易导电， 硅材料对温度的敏感性 多 晶 硅 多晶硅是许多单晶(晶粒)的聚合物。这些晶粒的排列是无序的，不同晶粒有不同的单晶取向，而每一晶粒内部有单晶的特征，因而在热分析和结构分析时可看作各向同性材料。 晶粒与晶粒之间的部位叫晶界，晶界对其电特性的影响可以通过控制掺杂原子浓度来调节。现就多晶硅的电阻率、电阻温度系数及电阻应变灵敏系数与掺杂原子浓度的关系论述如下。 电阻率随掺B原子浓度的关系 多晶硅膜的电阻率比单晶硅的高，特别是在低掺杂原子浓度下，多晶硅电阻率迅速提高。随掺杂原子浓度不同，其电阻率可在较宽数值范围内变化。 电阻温度特性随掺杂原子浓度的关系 多晶硅电阻应变灵敏特性 压缩时，电阻下降，拉伸时，电阻上升。 电阻应变灵敏系数 随掺杂浓度的增加 而略有降低。 多晶硅电阻应变灵敏系数与 掺杂原子浓度的关系 多晶硅的特点 1、具有较宽的工作温度范围（－60度～＋300度）； 2、可调的电阻率特性； 3、可调的的温度系数； 4、较高的应变灵敏系数及容易调整。 5、与