掺镧pzt及mis和mfmis器件研究.pdf

摘 要 铁电材料以其固有特性如剩余极化特性、压电特性、高介电常数、光电效应目 fi f得到广泛的研究。而利用其极化特性制各的各种存储器件具有高的存储速度，高 存储密度和可靠性在非挥发性存储领域受到R益重视，有希望成为继flash之后新 一代的非挥发性存储器件。 本文主要从铁电材料出发，研究其掺杂改性工作，在此基础上研究了铁电半导 体电容结构，然后制各了MFIS和MFMIS场效应管型铁电存储器件，研究其存储 特性，最后将其运用于非挥发性逻辑单元中进行了研究。 在铁电材料研究部分，本文从基本的PZT 锆钛酸铅 铁电材料PZT出发， 研究了镧掺杂改性对PZT铁电性，抗疲劳特性和漏电流特性的影响，得出了适用 于铁电单管存储器件，综合特性良好的PZT薄膜，为下一步的工作提供了重要的 依据。 两种铁电半导体电容结构，研究了不同的介质层厚度和介质材料对I．V、c—v曲 线的影响，详细地分析了频率对C-一v曲线形状和存储窗口的影响，并结合模型的 预测埘低频c—V曲线及介面陷阱产生和作用机理进行了深入的探讨。 在MFIS和MFMIS器件制备部分，对原有的版图进行了改进，进行了器件的 流片厂作，制备了具有不同宽长比和上下电极面积比的存储器件。对其非挥发性和 非破坏性读出特性进行了分析，研究了不同读写电压对存储窗口的影响。着重对 MFIS和MFMIS器件的保持特性和疲劳特性进