磁集成技术在不对称半桥倍流整流变换器中应用.pdfVIP

磁集成技术在不对称半桥倍流整流变换器中的应用 1 引言 随着通信设备、计算机时钟频率的不断提高，对低压/大电流输出的电源要求越来越高。要提高功率密度，就必须 减小体积，降低损耗。人们通常采用提高频率的方法来获得小型化，但受到磁件特性的限制，高频化的方法有一定的 局限性：一方面，频率的提高会受到整机效率的限制；另一方面，频率的提高会带来磁芯损耗的迅速加大，为了减小 磁芯损耗，磁芯高频工作时一般要降额使用，磁芯利用率降低，限制了磁件体积的减小。为进一步减小磁件的体积和 损耗，同时保证变换器性能良好，人们研究了磁集成技术的应用。磁集成技术就是将变换器的两个或多个分立磁件绕 制在一副磁芯上，从结构上集中在一起。采用磁集成技术可以减小磁件的体积、重量和损耗，减小电流纹波，改善滤 波效果，对提高电源的性能及功率密度有重要意义。 2 电路结构及磁件结构 在研究电路拓扑时，不仅要从电路拓扑方面考虑问题，还要注意将电路拓扑方案与磁件的可能集成方案综合在一 起研究，达到电路结构与磁件结构的最佳组合。 2.1 电路结构 图1 不对称半桥倍流整流变换器电路 不对称半桥( Asymmetrical Half Bridge , Asym . HB )倍流整流( Current Doubler Rectifier , CDR )变换器 电路如图1所示。选择这种电路结构是因为它简单、高效，并且CDR 对减小变压器的二次绕组的损耗有利。图1电路 中有三个分立磁件（Discrete Magnetics , DM），变压器T，电感LO1 和LO2 ，本文主要就是应用磁集成技术将这 三个磁件集成在一起，从而减小磁件损耗、体积。DM集成后的磁件被称为集成磁件（Integrated Magnetics , IM ）。 2.2 磁件结构 用源转移等效变换法，给出了IM的变换过程如下： （a）DM－CDR 电路 （b）C.Peng 提出的IM－CDR电路 （c） 拆分（b）中IM的绕组得到的IM (d)合并（c）中IM的绕组得到Wei Chen提出的IM （e）拆分（d）中IM的绕组得到的IM （f）改变（e）中IM的绕组连接方式得到改进型IM 图2 不对称半桥倍流整流电路中IM的变换过程 图2（a）为从图1中简化的DM－CDR 电路。图2（b）为C.Peng 最早提出的IM－CDR电路。用源转移等效变换法， 将图2（b）所示磁件的副边绕组匝数不变、一拆为二，得到图2（c）。令R1、R2、Rc 分别为磁芯三个磁柱的磁阻， 可画出图2（c）在一个工作周期的等效磁路：当a、b两点间电压为正，输出电压加在c、d两端，c正d负，φ1 增 加，φ2减小，等效磁路为图3（a）；当a、b两点间电压为负，输出电压加在e、d两端，e正d负，φ2增加，φ1 减小，等效磁路为图3（b）。由等效磁路可知，当 a、b两点间电压为正，