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PECVD工艺 PECVD工艺 Centrotherm PECVD 系统是一组利用平行板镀膜舟和高频等离子激发器的系列发生器。在低压和升温的情况下，等离子发生器直接在装在镀膜板中间的介质的中间发生反应。所用的活性气体为硅烷SiH4和氨NH3。这些气体作用于存储在硅片上的氮化硅。可以根据改变硅烷对氨的比率，来得到不同的折射指数。在沉积工艺中，伴有大量的氢原子和氢离子的产生，使得晶片的氢钝化性十分良好。 管式直接等离子方式镀膜 。 Centrotherm管式PECVD设备 3 4 PECVD工艺 设备主要结构包括： 晶片装载区 炉体 特气柜 真空系统 控制系统 PECVD工艺 CentrothremPECVD设备 PECVD工艺 PECVD工艺 晶片装载区：桨、LIFT、抽风系统、SLS系统。 桨：由碳化硅材料制成，具有耐高温、防变形等性能。作用是将石墨舟放入或取出石英管。 LIFT：机械臂系统，使舟在机械臂作用下在小车、桨、储存区之间互相移动。 抽风系统：位于晶片装载区上方，初步的冷却石墨舟和一定程度的过滤残余气体 。 SLS系统：软着陆系统，控制桨的上下，移动范围在2—3厘米。 PECVD工艺 炉体：石英管、加热系统、冷却系统 石英管：炉体内有四根石英管，是镀膜的作业区域，耐高温、防腐蚀反应。 加热系统：位于石英管外，有五个温区。 PECVD工艺 冷却系统 是一套封闭的循环水