(模D)电子技术与应用12.pptVIP

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  • 2016-03-03 发布于重庆
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(模D)电子技术与应用12.ppt

1 双极结型三极管 (BJT) 例3: 2 放大电路分析 (a) 基本放大电路 3 工作点稳定 (1) 频率响应的一般概念 (2) 三极管的频率参数 例1: 例2: 例3: 例4: 例5: 例5:(续) 例6: PNP 型 E C B E C B 称为晶体管又称半导体三极管 主要类型 NPN型和PNP型,硅管和锗管 第二章 半导体三极管及放大电路基础 NPN 型 内部 条件 发射区掺杂浓度高 基区薄且掺杂浓度低 集电结面积大 外部 条件 发射结正偏 集电结反偏 B C E I I I + = 三极管放大的条件 电流分配关系(NPN型管子为例) IB = IBN?ICBO ; IC=ICN+ICBO ; B C I I b = B E ) 1 ( I I b + = O 导通电压UBE(on) 硅管: (0.6 ? 0.8) V,取 0.7 V 锗管: (0.2 ? 0.3) V,取 0.2 V iC / mA uCE/V 50 μA 40 μA 30 μA 20 μA 10 μA IB = 0 O 2 4 6 8 4 3 2 1 晶体三极管的特性曲线 主要参数 1.电流放大系数 2.极间反向饱和电流: ICBO ; I

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