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- 2016-03-03 发布于湖北
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金属氧化原理
布里斯托大学威尔士物理实验室 卡布瑞拉、莫特
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§1.引言...........................................................163
1.1 在低温下所形成的稳定的氧化薄层............................163
1.2 中间温度区域..............................................
1.3 抛物线法则................................................
§2.膜厚的抛物线法则...............................................
§3.氧化薄膜形成原理...............................................
§4.非常薄的氧化膜的形成...........................................
4.1 形成的过剩半导体(铝)氧化物的数量值......................
4.2 吸引氧气的氧化物;以铜为例................................
§4.氧化膜的粘附及其晶体结构.......................................
§ 1.
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