Ch2 半导体中的杂质和缺陷能级.pptVIP

2.1 Si、 Ge中的杂质能级 重点和难点 施主杂质、施主能级、n型半导体； 受主杂质、受主能级、p型半导体； 施主杂质和受主杂质的电离能 杂质的补偿作用； 浅能级杂质和深能级杂质 杂质浓度：描述杂质的含量多少 1/cm3 引入的杂质能级位于禁带中 2.1.2 施主杂质、施主能级 一、施主杂质：当五价元素磷（或锑）在硅中成为替位式杂质并且电离时，磷原子的最外层有五个价电子，其中四个与相邻的半导体原子形成共价键，必定多出一个电子，这个电子几乎不受束缚，很容易被激发而成为自由电子，这样磷原子就成了不能移动的带正电的离子。 磷替代硅，其效果是形成一个正电中心P+和一个多余的价电子。这个多余的价电子就束缚在正电中心P+的周围（弱束缚）。 二、N 型半导体：本征半导体中掺入磷等Ⅴ族元素后，自由电子浓度大大增加的杂质半导体，也称为（电子半导体）。 三、施主电离 施主杂质释放电子的过程叫施主电离。 未电离时是中性的，称为束缚态或中性态；电离后成为正电中心，称为离化态 杂质电离能 杂质电离能：使多余电子挣脱束缚成为导电电子所需要的能量，ΔED (Donor) 硅、锗晶体中V族杂质的电离能（eV） 2.1.3 受主杂质 受主能级 一、受主杂质：当三价元素，如硼（或铟）在硅中成为替位式杂质并电离时，硼原子的最外层有三个价电子，与相邻半导体原子形成共价键时，产生一个空穴。