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considering we obtain: where: JFET中的噪声 功率密度： 在 的表达式中，第一项代表沟道的热噪声，第二项代表漏电流闪烁噪声，在室温和中频条件下， 表达式中的所有项都可以被忽略，使JFET实际上不含有输入电流噪声，然而，栅极漏电流随温度的增长速度很快，因此在更高温度条件下， 可能不被忽略。 与BJT相比，FET具有更低的 这表明，在类似的工作条件下，FET输入运算放大器比BJT输入具有更高的电压噪声，另外，JFET中的 含有闪烁噪声。 跨导 直流漏极电流 栅极漏电流 栅极和源极之间的电容 MOSFET中的噪声 功率密度： 跨导 沟道的宽度和长度 和JFET的情况类似，在室温的条件下可忽略 ，但它会随着温度的增加而增加。 在 的表达式中，第一项代表沟道电阻的热噪声，第二项代表闪烁噪声，在MOSFET输入运算放大器中，闪烁噪声是主要关注的对象，闪烁噪声与晶体管面积 成反比，因此可用具有大几何尺寸的输入级晶体管来降低这种形式的噪声。 Op Amp噪声 Op Amp噪声可用三个等效噪声源来表征，一个频谱密度为 的电压源，两个密度为 和 的电流源。