半导体表面精要.ppt

8.6.1 表面电场作用下的p-n结能带(续1：平衡情况) 参考底部的n-p结能带图。 认识图8-27中的二维能带图。 上曲面为二维导带面 下曲面为二维价带顶 情况(a)讨论： V1=VG=0，能带的弯曲是由于p-n 结自建电场引起。 情况(b)讨论： V1=0,VGVT，p区表面强反型。 p区表面强反型后，表面处与内 部等同于p-n结，称为场感应结 (相应地称原p-n结为冶金结)。 表面强反型后，耗尽区达到最大宽度xdm，并且不随VG的增加而改变。 强反型开始时表面势Vs≈2VB。 Ec Ev EF Ei 0电位 0电位 8.6.1 表面电场作用下的p-n结能带(续2：非平衡情况) 非平衡情况讨论： 栅控二极管电压配置：V10 ,p-n结反向偏置(参考下页图8-28 a所示情形) 非平衡p-n结，反偏p-n结势垒区变宽,势垒高度增加。 非平衡态基础知识：非平衡态时半导体不存在统一的费米能级，可以认为价带和导带的电子分别处在平衡状态，而导带和价带之间处于不平衡状态。用“准费米能级”来分开评价导带和价带的“局部费米能级” 。导带的准费米能级称为电子准费米能级，价带的费米能级称为空穴准费米能级。 非平衡p-n结，往往总是多数载流子的准费米能级和平衡态费米能级偏离不多，而少数载流子的准费米能级与平衡态费米能级偏离很大。 p-n结反偏时，EFpEFn。(参