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- 2016-03-04 发布于湖北
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第二章 材料的电学性能 本章内容 金属的导电性 合金的导电性 半导体的导电性 材料的介电性 材料的超导电性 半导体的电学性能 半导体的特点及应用 我国目前的半导体工业 多晶硅生产及光伏产业 集成电路(晶圆)制造产业 发光二极管(LED)及半导体照明产业 第三节 半导体的导电性 半导体材料及其能带 导电机制 PN结 半导体电学性能的测试方法 应用领域 1. 半导体材料及其能带 半导体材料的导电性 金刚石、硅和锗的对比 三者均为金刚石结构;禁带宽度分别为 ~5.4 eV、~ 1.2 eV和 ~ 0.7 eV。 在硅和锗中,一些电子在一般温度下就能受到热激发,越过禁带占据一些导电的能级。而当施加电场作用时,占据导带的电子就能引起电导。为半导体。 只有在0 K时,硅和锗才变得和金刚石一样,为绝缘体。 砷化镓具有闪锌矿结构。也就是和硅、锗具有相似的结构。 优点:工作温度较高,承受的电压较大,可以在更高的频率下工作,有较好的抗辐射能力等 缺点:提纯和制备 GaAs 单晶比硅困难得多,GaAs 的寿命也比较短。 GaAs目前只用于 一些特殊的场合,如航空、航天领域等。 化合物半导体 化合物半导体的优点是具有范围较宽的禁带和迁移率,可以满足不同场合的特殊要求 在一些化合物半导体中,应用了非化学计量原理来产生杂质能级,此时组分
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