真空共晶焊空洞研究的发展现状与发展趋势要点.pptVIP

内容 1.国内外研究现状 2.真空共晶焊原理 3.真空共晶焊空洞 4.降低空洞率的措施 5.对未来空洞率的要求和控制方案的预测 * 真空共晶焊空洞研究的发展现状与发展趋势 1.国内外研究现状 1.1国外研究现状 在上个世纪七十年代初期，国外已有了真空共晶焊的研究，对于真空共晶焊空洞缺陷问题，也有很多学者研究过，他们大都是通过实验来研究空洞问题，如10年Byung-Gil Jeong等人对RF-MEMS器件做了加压可靠性测试、高湿度存储可靠性测试、高温存储可靠性测试、温度循环可靠性测试等4种测试，测试后放置室温条件1h后发现Au80Sn20预成型焊框出现了空洞。13年Ngai-Sze 等人在多个LED工作在6W情况下，比较了夹头加热和流体回流加热两种共晶（焊料为AuSn）方式下的空洞率，结果表明夹头加热方式焊片的平均空洞率为8.8%，优于流体回流加热方式下的焊片平均空洞率40%。 1.2国内研究现状 国内在上个世纪八十年代初已有学者研究了真空共晶焊。目前，国内已有不少对真空共晶焊的研究，如13年西南电子技术研究所的贾耀平选用了Au80Sn20焊料对毫米波GaAs功率芯片的焊接工艺进行了较为系统深入的研究，对焊接时气体保护、焊片大小、焊接压力、真空工艺过程的施加和夹具设计等因素进行了试验分析，结果表明，GaAs功率芯片焊接具有较低的空洞率，焊透率高达90%以上。12年中电集团58所的陈波等人探讨了真空烧结、保护气氛下静压烧结、共晶摩擦焊等共晶焊方式在相同封装结构、不同共晶焊接工艺下焊接层孔隙率，以及相同工艺设备、工艺条件下随芯片尺寸增大孔隙率的变化趋势，结果表明Au-Si共晶摩擦焊孔隙率低于另两种方式；同一焊接工艺，随着芯片尺寸变大，其孔隙率变化不显著，但单个空洞的尺寸有明显增大趋势。 2.真空共晶焊原理 2.1真空共晶焊原理 共晶是指在相对较低的温度下共晶焊料发生共晶物熔合的现象，共晶合金直接从固态变到液态，而不经过塑性阶段。其熔化温度即为共晶温度。真空共晶焊就是在真空的环境下充保护气体，加热使共晶焊料共晶达到芯片与基板或管壳互连的目的。 “真空/可控气氛共晶焊炉”是国际上近几年推出的新设备，可实现器件的各种共晶工艺；共晶时无需使用助焊剂，并具有抽真空或充惰性气体的功能，在真空下共晶可以有效减少共晶空洞；如辅以专用的夹具，则能实现多芯片一次共晶。 图1 真空共晶焊炉 图2 炉内夹具 开始 抽真空 充氮气 加热到240℃ 加热到270℃ 加热到305℃ 305℃，并抽真空 冷却至100℃以下 停止 2.2真空共晶焊工艺流程 图3 真空共晶焊工艺流程 图4 真空共晶焊温度曲线 2.3真空共晶焊焊料和应用 焊料是共晶焊接非常关键的因素。有多种合金可以作为焊料，如AuGe、AuSn、AuSi、SnIn、SnAg、SnBi等，各种焊料因其各自的特性适于不同的应用场合。真空共晶焊常用的焊料有Au80Sn20、Au97Si3、Au88Ge12三种成分 。因为被焊接件几何尺寸小、气密性和平整度要求高，故一般采取了预成型焊片。真空共晶焊的预成型焊片的应用如图5、图6、图7所示。 图5 金属管壳气密封装（焊料环） 图6 芯片高散热粘接（焊料片） 图7 预覆焊片的金属盖板（焊料框） 3.真空共晶焊空洞 3.1空洞产生机理 空洞形成的根本原因，是因为气泡的残留或引入，当芯片背面金属层、焊料、基板金属薄膜层这些层之间的界面中残留或引入气泡，而气泡受内部气体压力、收缩压力、静力学压力、真空炉内气体压力以及表面张力的联合作用（其中前两个力由内向外的力，称之为内力，其余为由外而内的力，称之为外力），当内力外力，气泡就会生长和移动，易于溢出；当内力外力，空洞体积缩小，这种溢出也会被抑制。从体积方面来说高温情况下气体体积膨胀，小气泡变成大气泡溢出表面，而低温则阻止小气泡的生长。所以，当气泡存在而粘接工艺又未能把气泡完全赶出时，气泡就在芯片背面金属层和焊料层间、焊料层内或者焊料与基板上金属薄膜层间被存储，空洞就形成了。 3.2空洞分类 BGA焊球空洞按位置可分成五类：A类、B类、C类、D类、E类共五类。 图8 芯片侧界面空洞（A类） 图9 PCB侧界面空洞（B类） 图10 焊球内部空洞（C类） 图11 盲孔空洞（D类） 图12 盲孔空洞（E类） 图13 真空共晶焊焊料层空洞 3.3空洞的形成过程和空洞率的计算 空洞包括空洞成形、空洞生长、空洞连接。 根据空洞的定义，芯