光刻技术探究课件.ppt

电子束光刻技术探究 内容提纲 第一章 绪论 第二章 电子束曝光机原理及系统 电子束曝光及其相关工艺设备 湖北省等离子体化学与新材料重点实验室 Province Key Laboratory of Plasma Chemistry Advanced Materials * * 报告人：刘聪 学 号：201201032 绪论 电子束曝光机原理及系统 电子束光刻技术应用 2. 3. 4. 1. 电子束光刻技术瓶颈 1.3电子束光刻种类 1.2电子束光刻技术定义 1.1光刻技术发展概况 摩尔定律 高分辨率 直写式 1.1光刻技术发展概况 在摩尔定律的指引下，半导体工业每两至三年就跨上一个新的台阶，即所谓的半导体技术发展线图(ITRS)。预计2004年进入90nm节点器件的批量生产，到2011年，英特尔公司已研发出7nm工艺器件。然而这一切变化的关键是光刻技术，所以人们统称光刻技术是半导体工业的“领头羊”。 2003 2007 2012年 2003年ITRS最新技术进程 2004 2005 2006 2008 2009 2010 100 90 80 70 65 55 24 14 7nm 光源波长的发展 光刻技术是利用光学复制的方法把超微细图形刻印到半导体衬底上来制作复杂电路的技术,光的应用是整个光刻技术的关键,因此光刻技术的展开是围绕光的波长进行