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教学内容 二、绘制根轨迹的一般法则(*) 二、绘制根轨迹的一般法则(*) 二、绘制根轨迹的一般法则(*) 解:由题意知,需绘制零度根轨迹。 绘制步骤如下: 四、零度根轨迹 (5) 根轨迹的渐近线。 ① 倾角 ②与实轴交点 五、广义根轨迹 它是指以某非Kg作为系统参数变化时得到的根轨迹。 具体的做法为:由闭环系统特征方程式KgN(s)+D(s)=1 整理出研究的参数根轨迹方程式 关于Ta的根轨迹方程为 例 五、广义根轨迹 整理: 五、广义根轨迹 则新的开环传函应为 关于Ta的根轨迹方程为 例 五、广义根轨迹 二阶系统增加开环零点,根轨迹向左偏移,随着Ta增大,即开环零点越靠近虚轴,根轨迹向左偏移越严重。 说明,阻尼比越大,超调量减小。调节时间缩短。 §4-3.控制系统的根轨迹分析方法 在根轨迹上确定特征根 用根轨迹法分析系统的暂态特性 在根轨迹上由性能指标确定调整参数 σ jω L4 L2 L1 L3 l1 1. 试探法 ①先在根轨迹上取一试点S0,如图。 S0 求得根轨迹放大系数Kg0,与已知的Kg值比较,如果相等,S0即为所求。否则,重新找试点重复② 、③步骤 。 ②确定开环零极点到S0的矢量长度。 ③根据幅值条件: 一、在根轨迹上确定特征根 根据已知的Kg值,确定相应的特征根。 例6 绘制根轨迹 二、绘制根轨迹的一般法则(*) 与虚轴交点 特征方程 劳斯表 二、绘制根轨迹的一般法则(*) 与虚轴交点 特征方程 劳斯表 令s1行 得 利用s2行作辅助方程 得 二、绘制根轨迹的一般法则(*) 三、典型自控系统根轨迹 其中 绘制根轨迹 (1)起点、终点 (2)实轴上的根轨迹分支 (3)分离点 (4)渐进线 1.二阶系统 定义闭环极点到原点的连线和负实轴的夹角为 ,则 ,称这条线为等 线。 分析: ①等 线 已知二阶系统特征根在 s复平面的分布如右 三、典型自控系统根轨迹 2 2 , 1 1 z w zw - ± - = - n n j p 1.二阶系统 绘制 时的等 线,即 ②当 时的根轨迹放大系数 1.二阶系统 三、典型自控系统根轨迹 绘制根轨迹:(取a=1) 三、典型自控系统根轨迹 如右图二阶系统串联一一阶微分环节 2.开环具有零点二阶系统 ③分离点,会合点 ①起点:0,-0.2 终点:-1, ②实轴上的根轨迹分支 三、典型自控系统根轨迹 2.开环具有零点二阶系统 三、典型自控系统根轨迹 2.开环具有零点二阶系统 -2 -1.5 -1 -0.5 0 -1 -0.8 -0.6 -0.4 -0.2 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 Root Locus Real Axis Imaginary Axis 总结:开环零点对系统的影响 复平面根轨迹可由辐角条件证明是个圆。 证明:根据辐角条件: 在根轨迹上任取一点s,满足辐角条件 令 三、典型自控系统根轨迹 2.开环具有零点二阶系统 即 利用反正切公式 所以,上式可得 三、典型自控系统根轨迹 2.开环具有零点二阶系统 等号两边同时取正切,得 复平面上的根轨迹是一以零点为圆心,以分离点(或会合点)到零点的距离为半径的圆。 2.开环具有零点二阶系统 结论:任意带一开环零点的二阶系统,若复平面存在根轨迹,则它一定是一个以开环零点为圆心的圆或圆的一部分。 三、典型自控系统根轨迹 3.三阶系统 二阶系统再加一个极点 a=4时,绘制根轨迹 结论:二阶系统附加极点,Kg↑根轨迹将穿过虚轴系统趋于不稳定。 三、典型自控系统根轨迹 (二阶加一极点一零点) ①起点:0,0,-p1 终点:-z1,两个无穷远 ②实轴根轨迹分支: [-p1,-z1] 三、典型自控系统根轨迹 4.开环具有零点三阶系统: 4.开环具有零点三阶系统: (二阶加一极点一零点) 三、典型自控系统根轨迹 ③渐近线 倾角: 与实轴交点: 若-z1更靠近虚轴,则根轨迹形状发生变化 三、典型自控系统根轨迹 渐近线 出射角 与虚轴交点 5.具有复极点的四阶系统 三、典型自控系统根轨迹 5.具有复极点的四阶系统 三、典型自控系统根轨迹 根轨迹与虚轴相交时,其余2根可由根与系数的关系得到 常见负反馈系统的开环零极点分布及根轨迹草图。 常见负反馈系统的开环零极点分布及根轨迹草图。 常见负反馈系统的开环零极点分布及根轨迹草图。 -4 -2 0 -1 -0.5 0 0.5 1 -2 -1 0 -2 -1 0 1 2 -4 -2 0 -2 -1 0 1 2
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