纤锌矿氮化物半导体杂质态结合能及压力和极化子效应.pdfVIP

内蒙古大学硕士学位论文 纤锌矿氮化物半导体杂质态的结合能及压力和极化子效应 摘要 本文考虑纤锌矿结构的氮化物半导体材料的单轴异性，在有效质量近似下 采用变分理论研究了体材料杂质态结合能及其极化子效应；计及电子有效质量， 材料介电常数及晶格振动频率随流体静压力的变化，讨论了压力对杂质态结合 能的影响．对氮化物半导体GaN、AIN、InN体材料中的杂质态结合能进行了数 值计算，给出结合能随结构异性角的变化关系，并讨论了流体静压力对杂质态 结合能的影响．结果显示，结构的单轴异性对结合能的影响显著，杂质态的结 合能随压力增加而增加． 本文首先计算纤锌矿结构的单轴异性对杂质态的影响．结果表明，杂质态 结合能随结构异性角增大单调增加，在垂直于主轴方向达到极大值．与闪锌矿 (各向同性)结构相比，GaN和A1N材料中的杂质态结合能在主轴方向低于闪 锌矿结构，在垂直于主轴方向高于闪锌矿结构，而InN材料中的杂质态结合能 始终低于闪锌矿结构．研究发现单轴异性对结合能的影响主要来自介电常数的 各向异性．进而，考虑流体静压力效应，同时计入纤锌矿结构中两类异常光学 电子．声子相互作用，讨论氮化物体材料中极化子效应对杂质态结合能的影响．结 果表明，极化子效应使杂质态结合能明显降低，但压力使极化子效应减弱．极 化子效应的主要贡献来自杂质态一LO．1ike声子相互作用． 关键词：氮化物半导体，杂质态，结合能，极化子，单轴异性 内蒙古大学硕士学位论文 PRESSUREANDPOLARONEFFECTONTHEBn叮DING ENERGIESOFⅡ胛U刚TYSTATESINⅥ厂I，RTZITE NITRIDESSE~ⅡCONDUCTOR ABSTRACT Inthisthesis．the statesinwurtzites乜uctI鹏are impurity crystal investigatedby theinfluenceoftmiaxial and effect．Avariational polaron considering anisotropy methodis todiscussshallow states intheeffective adopted impuritybindingenergies variationsofeffectivemassesofan masses the electron， byconsidering approximation vibration with dielectricconstantsand lattice pressure． crystal frequencieshydrostatic the of statesin Thenumericalcalculationis for energiesimp谢ty perfomedbinding InN be眦enthe ofshallow GaN、AINand