模拟电子技术基础课件(第三版)童诗白华成英(第二章)解读.ppt

(二) 图解法 图 2.7.3　图解法求基本共源放大电路的 静态工作点 VDD IDQ UDSQ Q 利用式 uDS = VDD - iDRD 画出直流负载线。 图中 IDQ、UDSQ 即为静态值。 Q点： UGSQ 、 IDQ 、 UDSQ UGSQ = UDSQ = 已知UP 或 UGS（Off)　 VDD - IDQ (Rd + R ) - -IDQR 可解出Q点的UGS Q、 IDQ 、 UDSQ 如知道FET的特性曲线，也可采用图解法。 二、自给偏压电路 图2.7.4(a) JFET自给偏压共源电路 耗尽型MOS管自给偏压共源电路的分析方法相同。 IDQ 三、分压式偏置电路 图2.7.5分压式偏置电路 + ? T + RG S D G RD R2 VDD + RL RS R1 C1 CS C2 + + + (一)Q点近似估算法 根据输入回路列方程 解联立方程求出 UGSQ 和 IDQ。 列输出回路方程求 UDSQ UDSQ = VDD – IDQ(RD + RS) 将IDQ 代入，求出UDSQ + ? T + RG S D G RD R2 VDD + RL RS R1 C1 CS C2 + + + 图 2.7.5　分压 式偏置电路 (二)图解法 由式 可做出一条直线， 另外，iD 与 uGS 之间满足转移特性曲线的规律，二者之间交点为静态工作点，确定 UGSQ， IDQ 。 根据漏极回路方程 　　在漏极特性曲线上做直流负载线， 与 uGS = UGSQ 的交点确定 Q，由 Q 确定 UDSQ 和 IDQ值。 UDSQ uDS = VDD – iD(RD + RS) 3 uDS/V iD/mA 0 1 2 15 2 V 10 5 uGS 4.5V 4V 3.5V UGSQ 3 V VDD Q IDQ uGS/V iD/mA O 2 4 6 1 2 Q IDQ UGSQ UGQ 2.7.3场效应管放大电路的动态分析 iD 的全微分为 上式中定义： —— 场效应管的跨导(毫西门子 mS)。 —— 场效应管漏源之间等效电阻。 一、场效应管的低频小信号等效模型 如果输入正弦信号，则可用相量代替上式中的变量。 成为： 根据上式做等效电路如图所示。 图 2.7.6　MOS管的低频小信号等效模型 由于没有栅极电流，所以栅源是悬空的。 + + — — g d S s g d 微变参数 gm 和 rDS (1) 根据定义通过在特性曲线上作图方法中求得。 (2) 用求导的方法计算 gm 在 Q 点附近，可用 IDQ 表示上式中 iD，则 　　一般 gm 约为 0.1 至 20 mS。 rDS 为几百千欧的数量级。　　当 RD 比 rDS 小得多时，可认为等效电路的 rDS 开路。 二、基本 共源放大电路的动态分析 VDD + uO ? iD T ~ + ? uI VGG RG S D G RD 基本共源放大电路的等效电路 将 rDS 开路 而 所以 输出电阻 Ro = RD MOS 管输入电阻高达 109 ?。 - D + + - G S RG + - 1.基本共源放大电路动态分析 2.分压式偏置电路的动态分析 等效电路入图所示 　　由图可知 电压放大倍数 输入、输出电阻分别为 分压式偏置电路等效电路 — D + + — G S + — + ? T + RG S D G RD R2 VDD + RL RS R1 C1 CS C2 + + + 三、基本共漏放大电路 ——源极输出器或源极跟随器 图 2.7.9基本共漏放大电路 　　典型电路如右图所示。 + VT + S D G R2 VDD + RL RS R1 C1 C2 + + ? RG 1.静态分析 分析方法与“分压-自偏压式共源电路”类似，可采用估算法和图解法。 2.动态分析 （1）. 电压放大倍数 图 2.7.10　微变等效电路 而 所以 （2）. 输入电阻 Ri = RG + ( R1 // R2 ) — D + + - G S + — （3）输出电阻 图 2.7.11　微变等效电路 在电路中，外加 ，令 ，并使 RL 开路 因输入端短路，故 则 所以 实际工作中经常使用的是共源、共漏组态。 — D + + - G S ~ 2.7.4　场效应管放大电路的特点 1. 场效应管是电压控制元件； 2. 栅极几乎不取用电流，输入电阻非常高； 3. 一种极性的载流子导电，噪声小，受外界温度及　　　　辐射影响小； 4. 制造工艺简单，有利于大规模集成； 5. 存放管子应将栅源极短路，焊接时烙铁外壳应接　　　地良好，防止漏电击穿