微电子 05讲解.ppt

本节内容 双极型晶体管的工作原理 双极型晶体管的静态特性 双极型晶体管的频率响应与开关特性 异质结双极型晶体管 可控硅器件及相关功率器件 为推导出理想晶体管的电流、电压表示式，需作下列五点假设： （1）晶体管中各区域的浓度为均匀掺杂； （2）基区中的空穴漂移电流和集基极反向饱和电流可以忽略； （3）载流子注入属于小注入； （4）耗尽区中没有产生-复合电流； （5）晶体管中无串联电阻。 假设在正向偏压的状况下空穴由发射区注入基区，然后这些空穴再以扩散的方式穿过基区到达集基结，一旦确定了少数载流子的分布(n区域中的空穴)，就可以由少数载流子的浓度梯度得出电流。 各区域中的载流子分布 双极型晶体管的静态特性 根据射基结与集基结上偏压的不同，双极型晶体管有四种工作模式。下图显示了一p-n-p晶体管的四种工作模式与VEB、VCB的关系，每一种工作模式的少数载流子分布也显示在图中。如在放大模式下，射基结是正向偏压，集基结是反向偏压。 在饱和模式下，晶体管中的两个结都是正向偏压，导致两个结的耗尽区中少数载流子分布并非为零，因此在x=W处的边界条件变为 工作模式 双极型晶体管的静态特性 在截止模式下，晶体管的两个结皆为反向偏压，边界条件变为pn(0)=pn(W)=0，截止模式下的晶体管可视为开关断路(或是关闭)。 在反转模式下，射基结是反向偏压，集基结是正向偏压；在反转模式下晶体管的集电极用作发射极，而发射极用作集电极，相当于晶体管被倒过来用，但是在反转模式下的电流增益通常较放大模式小，这是因为集电区掺杂浓度较基区浓度小，造成低的“发射效率”所致。 在饱和模式下，极小的电压就产生了极大的输出电流，晶体管处于导通状态，类似于开关短路（亦即导通）的状态。 双极型晶体管的静态特性 其中β0为共射电流增益，是IC对IB的微分且 下图是一个共射组态下的p-n-p晶体管，将式IB=IE-IC代入 共射组态晶体管的电流-电压特性 可得出共射组态下的集电极电流 定义 此电流是当IB=0时，集电极与发射极间的漏电流。因此 双极型晶体管的静态特性 因为?0一般非常接近于1，使得β0远大于1，所以基极电流的微小变化将造成集电极电流的剧烈变化。下图是不同的基极电流下，输出电流-电压特性的测量结果。可见当IB=0时，集电极和发射极间还存在一不为零的ICEO。 在一共射组态的理想晶体管中，当IB固定且VEC0时，集电极电流与VEC不相关。当假设中性的基极区域(W)为定值时，上述特性始终成立。然而延伸到基极中的空间电荷区域会随着集电极和基极的电压改变，使得基区的宽度是集基偏压的函数，因此集电极电流将与VEC相关． 双极型晶体管的静态特性 当集电极和基极间的反向偏压增加时，基区的宽度将会减少，导致基区中的少数载流子浓度梯度增加，亦即使得扩散电流增加，因此IC也会增加。下图显示出IC随着VEC的增加而增加，这种电流变化称为厄雷效应，或称为基区宽度调制效应，将集电极电流往左方延伸，与VEC轴相交，可得到交点，称为厄雷电压。 双极型晶体管的静态特性 C I EC V 0 A V B I 例3：已知在一理想晶体管中，各电流成分为：IEp=3mA、IEn=0.01mA、ICp=2.99mA、ICn=0.001mA。求出共射电流增益β0，并以β0和ICBO表示ICEO，并求出ICEO的值。 解： 发射效率为 基区输运系数为 共基电流增益为 因此可得 所以 双极型晶体管的静态特性 现代半导体器件物理与工艺 桂林电子科技大学 双极型晶体管及相关器件 * 现代半导体器件物理与工艺 桂林电子科技大学 双极型晶体管及相关器件 * 双极型晶体管及 相关器件 双极晶体管的结构 由两个相距很近的PN结组成： 分为：NPN和PNP两种形式 基区宽度远远小于少子扩散长度 发射区 收集区 基区 发射结 收集结 发射极 收集极 基极 双极晶体管的两种形式：NPN和PNP NPN c b e c b e PNP 双极晶体管的结构和版图示意图 NPN晶体管的电流输运机制 正常工作时的载流子输运 相应的载流子分布 NPN晶体管的电流输运 NPN晶体管的电流转换 电子流 空穴流 NPN晶体管的几种组态 共基极 共发射极 共收集极 共基极 共发射极 共收集极 N N P 晶体管的共收集极接法 c b e 晶体管的直流特性 共发射极的直流特性曲线 三个区域： 饱和区 放大区 截止区 晶体管的直流特性 共基极的直流特性曲线 晶体管的特性参数 晶体管的电流增益（放大系数〕 共基极直流放大系数和交流放大系数?0 、 ? 两者的关系