UV-LIGA中光源波长与曝光量对SU-8光刻胶微结构的影响.pdfVIP

Uv—LIGA中光源波长和曝光量对SU一8光刻胶微结构的影响——张哗 陈迪 张金娅等 UV—LIGA中光源波长和曝光量 对SU一8光刻胶微结构的影响 张 晔 陈 迪 张金娅 朱 军 刘景全 上海交通大学，微米／纳米加工技术国家重点实验室， 薄膜与微细技术教育部重点实验室，上海，200030 摘要：基于uV—LIGA技术采用SU一8光刻胶制备了高深宽比微结构，最高深宽比达20：1。研究了改变 光源的波长和曝光量对SU一8光刻胶成形的影响，揭示了在一定范围内线宽随曝光量非线性变化的规律。从 聚合度和聚合所得高分子结构两方面对该变化规律给出了合理的解释，并基于该变化规律提出了一种新的消 除微结构倒角的方法。 关键词：UV—LIGA技术；SU一8胶；高深宽比微结构；倒角 x(2005)S1一0437一04 中图分类号：TN23 文章编号：1004—132 Process of ofSU--8Photoresist OptimizationOpticalLithography YeChenDi ZhuJunLiu Zhang ZhangJinya Jingquan National of Fabrication KeyLaboratoryNano／Micro Technology， forThinFilmandMicrofabricationof ofEducation， KeyLaboratory Ministry Jiao University，Shanghai，200030 ShanghaiTong used tOfabricate ratiomi— Abstract：OnthebasisofUV—LIGA SU一8photoresist highaspect technique，we influencesof sourceand crostructures，theratioofwhichwas20．The of highestaspect wavelengthexposing exposing rule tO doseontheresistmicrostructureswas non--lineofmicrostructures’dimension investigated．A changeaccording the structure the dosewasfound．Therulewas fromanumberof moleculesand of exposing explained reacting space themolecules．Inofthe newmethodof the ofSU一8microstruc- po