第二章电力电子器件精要.ppt

* RCD又称为限幅嵌位缓冲电路，被广泛用于IGBT等电压控制型开关器件的DC/DC直流电压变换和逆变电路中。要注意的是，在没有线路电感时，即L=0时，RCD缓冲电路在开关过程中不起作用。 * 从断面图上可以看到栅极与附近两个N区被绝缘体SiO2绝缘隔开，所以G被称为绝缘栅极。图中一个P型区代表一个单元，图中画出两个单元的典型平面断面图。一个真实器件往往由数万个以上的单元组成，并且在结构上是立体交错互连的。 靠近G极处被G极正电位所吸引的电子数超过该处的空穴数以后，栅极下面原空穴多的P型半导体表面就变成电子数目多的N型半导体表层。G极下由栅极正电位所形成这个N型半导体表层感生了大量的电子载流子。它是一个电子浓度很高的沟道（称为N沟道），这个沟道将G极两边的N区连在一起。电子从N+源区经此水平沟道流入N-外延区后，即在漏-源电压驱使下向漏极竖直漂移，形成漏极电流ID。 * 从断面图上可以看到栅极与附近两个N区被绝缘体SiO2绝缘隔开，所以G被称为绝缘栅极。图中一个P型区代表一个单元，图中画出两个单元的典型平面断面图。一个真实器件往往由数万个以上的单元组成，并且在结构上是立体交错互连的。 靠近G极处被G极正电位所吸引的电子数超过该处的空穴数以后，栅极下面原空穴多的P型半导体表面就变成电子数目多的N型半导体表层。G极下由栅极正电位所形成这个N型半导体表层感生了大