硅单晶热膨胀性质的分子动力学和晶格动力学模拟.pdfVIP

摘 要 硅是地球上储藏最丰富、使用最广泛的半导体材料，在微电子领 域已有大量应用。最近二十多年来，硅材料在微机电系统中也有广泛 应用，如人们研制成功各种的硅微型压力传感器、硅微尺度的加速度 计。热学性质是硅材料的一种基本物理性质，对它们的了解和掌握将 有助于我们成功设计和可靠使用基于硅材料的各种微机电系统构件。 热膨胀作为硅单晶材料的最重要的一种热学性质，长期以来得到了人 们充分的理论与实验研究。人们通过实验，发现它在低温下有负热膨 算得到负热膨胀系数。因此应用该模型不能解释硅单晶材料的低温下 有负热膨胀的物理机制，必须进行修正。 本文将揭示硅晶体在低温下具有负热膨胀性质的微观机制，对 为微型机电系统构件的合理设计和可靠使用提供理论依据。该研究方 法同样适用于其他金刚石结构的晶体材料的热膨胀性质研究，具有普 适性。 本文的主要内容包括： 1．介绍硅材料其热物性尤其是热膨胀性质的理论与实验研究现 状及研究意义。 以及分子动力学模拟的主要步骤和流程，并加以实验数据进行