有机非挥发性存储器的研究进展.pdfVIP

2011 年 第 56 卷 第 27 期：2298 ~ 2310 《中国科学》杂志社 评 述 SCIENCE CHINA PRESS 有机非挥发性存储器的研究进展 ①② ① ①* ① ① ② 刘欣 , 姬濯宇 , 刘明 , 商立伟 , 李冬梅 , 代月花 ① 中国科学院微电子研究所纳米加工与新器件集成技术实验室, 北京 100029; ② 安徽大学电子信息与工程学院, 合肥 230039 * 联系人, E-mail: liuming@ 2011-04-20 收稿, 2011-07-25 接受 国家重点基础研究发展计划(2011CB808404, 2009CB939703)和国家自然科学基金资助项目 摘要 有机存储器在未来存储器应用中具有非常光明的前景, 因此在学术界和工业界 关键词 均引起广泛的研究兴趣. 近几年来, 有机存储器在材料、器件性能及电路集成方面都取 有机存储器件 得了飞速的发展. 本文从器件结构、性能、所用材料与集成等方面, 综述了有机存储器 交叉线存储器件 的最新研究进展, 同时讨论了阻碍有机存储器发展及其商业化应用的原因. 有机薄膜晶体管集成 多值效应 随着有机分子/ 电子学的迅速发展, 基于有机半 (34 ×34) 存储密度为 10 Gbits/cm2 的交叉阵列电路 导体材料的电子器件在低价、柔性、大面积、质轻等 (线宽35 nm; 间距100 nm), 如图 1 所示[18]. 随后在 方面具有非常光明的应用前景, 在许多研究领域引 2005 年, 惠普实验室又制备出了 1 kbits 存储密度为 起了广泛的关注. 近些年来, 有机薄膜晶体管[1~9] 、有 28 Gbits/cm2 分子交叉阵列存储电路( 间距为 60 机发光二极管[10~12] 、有机太阳能电池[13~15]等方面的 nm)[19]. 2007 年, Caltech 的Heath 研究小组采用超晶 研究取得了突飞猛进的发展, 为有机电子器件的集 格纳米线转移(SNAP) 技术, 刷新了世界记录, 制备 成及进一步的应用奠定了坚实的基础. 作为有机集 出了 160 kbits (400 ×400) 存储密度为 1011 bits/cm2 成电路的一个核心单元, 有机存储器的相关研究近 的交叉阵列电路(线宽 16 nm; 间距33 nm)[20]. 最近, 年来也取得了较大的进展. Sekitani 等人[21]在厚度为 125 µm 柔性衬底上实现了 早在20 世纪70 年代, 基于有机薄膜制备的电开 676 bits (26 ×26) 的基于有机浮栅晶体管的存储阵列, 关器件就已见报道. 有机半导体材料的研究一直是 这种存储器件能承受 1000 多次的编程和擦除循环, 该领域的核心, 以 Ag:TCNQ 和 Cu:TCNQ 为代表的 具备了可应用的潜力. 电荷转移复合物是有机双稳态电子器件初期的研究 目前, 有机非挥发性存储器的结构主要有两种: 热点. 近年来, 非晶态-晶态转变的相变材料、铁电材 交叉线有机存储器和有机薄膜场效应晶体管(OTFT) 料、电化学氧化还原材料等都表现具有存储特性, 基 存储器. 本文首先简单综述了交叉线结构的有机存储 于这些材料的存储器件的制备及性能优化都在进一 器及其集成方面的进展, 并讨论了有机存储领域近年 步的研究过程中. 在有机存储器件的研究与集成方 的研究热点——多值存储效应.