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自旋纳米振荡器.pdf

2014 年 第 59 卷 第 19 期: 1804 ~ 1811 《中国科学》杂志社 特邀进展 SCIENCE CHINA PRESS 自旋纳米振荡器 * 方彬, 曾中明 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所, 苏州 215123 * 联系人, E-mail: zmzeng2012@ 2014-01-03 收稿, 2014-03-10 接受, 2014-05-04 网络版发表 国家自然科学基金和中国科学院“百人计划”启动基金资助 摘要 自旋纳米振荡器是基于磁电阻效应和自旋转移力矩效应的一种新型纳米微波器件. 关键词 它具有结构简单、尺寸小、频率调制范围宽、工作温度范围宽、以及工作电压低且易于 自旋纳米振荡器 集成等特点,在无线通讯、微波源和微波检测等领域具有广阔应用前景. 自2003 年首次 自旋转移力矩效应 在实验上实现后, 实验技术迅速突破,引起了学术界和产业界的广泛关注. 本文首先简要 自旋电子学 磁电阻效应 介绍自旋纳米振荡器的基本工作原理, 然后结合我们的研究工作回顾近几年的实验研究 进展, 并讨论面临的挑战及展望可能解决的途径. 传统微电子器件仅利用了电子的电荷属性, 而作 术的 VCO 压控振荡器小 50 倍) 、频率调制范围宽 为电子另一特性的自旋则被忽略. 1988 年巨磁电阻效 (0.1~100 GHz) 、工作温度范围宽、以及工作电压低 应(GMR)的发现[1]及随后在信息存储技术和传感技术 (0.5 V)等优点[9~11], 在未来无线通讯、微波源和微波 等领域的应用, 则开辟了一门以研究自旋极化电子输 探测等领域具有重要应用前景. 运及相关器件开发为内容的新兴交叉学科——自旋 1 工作原理 电子学, 推动了许多新的纳米尺度人工结构材料和器 件的开发和应用[2,3]. 1996 年 Slonczewski[4]和 Berger[5] STO 通常由“铁磁/非磁/铁磁(FM1/NM/FM2)”三 从理论上预言了一种全新的操控磁矩方法——自旋 明治结构组成, 其中铁磁性材料层(FM1)的磁化方向 转移力矩效应(Spin Transfer Torque, STT), 即自旋极 相对固定, 称为固定层或极化层, 另一铁磁性材料层 化电子将携带的自旋角动量转移给局域磁矩, 使磁 (FM2)的磁化相对自由, 可以利用外加磁场或电流进 矩产生局域的持续进动甚至发生翻转. 这种运用自 行调控, 称为自由层, 如图1(a)所示. 电流垂直通过 旋极化电流来调控磁性薄膜的磁矩状态的概念被认 这种纳米尺度的磁性多层膜结构时会产生 STT 效应, 为是继GMR 效应之后自旋电子学领域的又一重要发 当 STT 效应与自由层的阻尼相等时将引起自由层的 现. 目前基于STT 效应的新材料探索、物理性质和器 磁矩发生稳定进动, 进而激发微波发射, 将直流输入 件应用的研发已成为自旋电子学领域的另一研究高 信号转换为微波输出信号, 如图 1(b). 值得注意的是, 潮. 利用 STT 效应开发的磁性随机存储器(STT- 为了克服磁性薄膜的本身阻尼, 需要足够强的电流 MRAM)[6]具有非挥发性、低能耗、高速、高密度、抗 产生足够大的 STT 效应, 一般所需的临界电流密度 辐射等优点, 正受到科学家和工程师的空前关注. 利 7 [12] 在 10 安每平方米量级 . 对于这种三明治多层膜结 用 STT 效应可以制

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