2012茅班大学物理实验下6210.pptVIP

１，VX’ (i)指的是对光点每次在X方向移动一个格所测得的VX电压值． ２，表格中的VX是经过坐标变换后的偏转电压值． 3，测量VX’ (i)之前，必需把偏转电压调到０伏，再把光点用X．Y调０旋扭把光点调到荧光屏的中央，然后再用VX偏转电压把光点调到左边第一格点处作为测量起点． 在测量电路中，霍尔元件用两种符号表示 注意 实验结束后把桌面和地面整理干净。 把仪器电源断开。 老师签字。 把凳子放在桌下后才能离开实验室。 * 西南交通大学物理实验中心 电子束聚焦和偏转研究 吴晓立 课堂交报告 实验目的 1、研究电子在横向电场中的运动规律； 2、研究电子在横向磁场中的运动规律； 3、了解示波管的基本结构和工作原理。 示波管结构与工作原理 示波管的三部分：电子枪，偏转系统，荧光屏 实验原理 电子枪电极电位 实验原理 实验原理 电致偏转 磁致偏转 实验仪器与步骤 电子束实验仪，直流稳压电源，低压电表，高压电表， 信号源（函数信号发生器）、直流毫安表，导线若干 电子束实验仪 直流稳压电源  万用电表1 万用电表2 表 安 毫 表培安 10.0 9.0 8.0 7.0 6.0 5.0 4.0 3.0 2.0 1.0 0.0 D/DIV V2/V 表4.8.1 记录表格 0.0 +1.0 +2.0 +3.0 +4.0 -1.0 -2.0 +5.0 -3.0 -4.0 -5.0 电致偏转实验及数据处理（1） 4.0 3.0 2.0 1.0 0.0 －1.0 －2.0 －3.0 －4.0 作D- Is曲线和D- 曲线，总结规律。 磁致偏转实验及数据处理（2） 4，用Vx调节旋扭把光点向右每调一格即记录一次偏转电压V’x(i)直至D到10格(DiV).（测偏转电压用低压表，两表笔一端接地另一端接到偏转电压测量点，若电表指针反转则需调换两表笔，数据记录要判断电压的正负值！）,Vx,(i)的值既测得的ＶＸ偏转电压值． 电、磁致偏转测量注意： 十直流稳压电源一 电子束实验仪 单刀开关 十 电流表 一 磁致偏转的电路 接外供磁场线圈 信号源 整理仪器与实验报告 取得实验数据后，关闭电源，整理仪器，将地面与桌面整理干净后，老师签字，才能离开实验室 1，整理实验数据，填入“表4.8.1”、“表4.8.2”； 2，画出实验曲线（画图用坐标纸，四个图八条曲线） 西南交通大学物理实验中心 霍尔传感器基本参量及磁场测量 吴晓立 报告箱: 02号 实验目的 霍尔效应，霍尔效应的副效应及消除方法，掌握正确测量霍尔电压的方法。 掌握霍尔电压于工作电流、于磁场的关系。用霍尔器件测量电磁铁磁场B，和磁导率 的方法。 实验原理---霍尔效应 静止的载流导体位于磁场中，当电流 I 的方向与磁场 B 的方向有一定夹角时，在垂直于电流和磁场方向的载流导体的两侧面之间会 产生一个电动势，电流方向与磁场方向垂直时，产生的电动势最大，这一现象称为霍尔效应。 1879年,霍尔在研究载流金属导体在磁场中的受力时,发现了霍尔效应。 约70年后，随着半导体的出现和半导体工业的迅猛发展，人们发现半导体材料的霍尔效应显著，才制成了实用的霍尔器件，并应用于磁场的测量之中。 霍尔效应的本质是运动的带电粒子在磁场中受洛仑兹力作用而引起偏转，当带电粒子被约束在固体材料中，这种偏转就导致在垂直于电流和磁场方向的导体两表面产生正、负电荷的聚集，从而在材料中形成附加的横向电场。 电流可以看作电荷的迁移，运动的电荷在磁场的作用下，所受的洛伦磁力为： 在洛伦磁力的作用下电子运动发生偏转，结果在1处积聚，同时正电荷在 2 处出现同等数量正电荷积聚。正负电荷之间形成电场，方向由正指向负。随着电荷的积聚，迁移的电荷受到磁力和电场力同时的作用。 当电荷积聚达到平衡时有： 设载流子的浓度为 n ,单位时间内体积为v.d.b里的载流子全部通过横界面，则电流强度 与载流子平均速度 的关系为 与 之间相差1/h,表示厚度的影响。 由此可见，已知霍尔灵敏度K,通过测量霍尔电压和电流，就可以计算出磁场强度 B 。 不等位效应： 电极不在等位面上，产生不等为电位差， 只与 有关与B无关。 埃廷豪森效应：载流子运动的速度不同，引起温差电压 ， 的正负与 ，B 的方向有关。 能斯特效应：电流电极与霍尔片的接触电阻不等，产生附加电压 ， 的大小取决于磁场方向。 里纪勒杜克效应：由于热扩散电流的载流子的迁移速度不同，产生相应的温度电压 ， 的大小与 B 的方向有关，与 无关。 由于以上原因，霍尔元件载测量中产生多种附加电压，这些附加电压会引起测量的系统误差所以测量时必须被抵偿掉。 霍尔效应的副