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多元半导体光伏材料中晶格缺陷的计算预测 袁振坤 许鹏 陈时友 Computationalprediction of lattice defects in multinarycompound semiconductors as photovoltaic ma- terials YuanZhen-Kun XuPeng ChenShi-You 引用信息Citation: ActaPhysicaSinica, ,186102(2015) DOI: 10.7498/aps.64.186102 在线阅读Viewonline: /10.7498/aps.64.186102 当期内容Viewtableofcontents: /CN/Y2015/V64/I18 您可能感兴趣的其他文章 Articlesyoumaybeinterestedin 第 原理研究Mn掺杂LiNbO 晶体的磁性和光吸收性质 StudyonmagneticandopticalpropertiesofMn-dopedLiNbO byusingthefirstprinciples 物理学报.2015,64(9): 097102 /10.7498/aps.64.097102 光催化半导体Ag ZnSnS 的第 性原理研究 First-principlesstudyofAg ZnSnS asaphotocatalyst 物理学报.2014,63(24): 247101 /10.7498/aps.63.247101 钢动静态强度计算的电子理论模型 Electronictheoreticalmodelofstaticanddynamicstrength of steels 物理学报.2014,63(12): 126101 /10.7498/aps.63.126101 铀的结构相变及力学性能的第 性原理计算 Firstprinciplesstudiesofphasetransitionandmechanical properties of uranium 物理学报.2013,62(17): 176104 /10.7498/aps.62.176104 高质量InGaN的等离子体辅助分子束外延生长和In的反 并入行为 High-qualityInGaNepilayersgrownbyPA-MBEandabnormalincorporationbehaviorofIndiumintoInGaN 物理学报.2013,62(8): 086101 /10.7498/aps.62.086101 物理学报 Acta Phys. Sin. Vol. 64, No. 18 (2015) 186102 专题: 计算物理的近期发展和应用 多元半导体光伏材料中晶格缺陷的计算预测 袁振坤 许鹏 陈时友 1) (复旦大学物理系, 计算物质科学教育部重点实验室, 上海 200433) 2)(华东师范大学信息学院, 极化材料与器件教育部重点实验室, 上海 200241) ( 2015 年5 月4 日收到; 2015 年6 月25 日收到修改稿) 半导体光伏材料的发展在过去60 多年中表现出了清晰的多元化趋势. 从20 世纪50 年代的 元Si 太阳能 电池, 到20 世纪60 年代的GaAs 和CdTe 电池、70 年代的CuInSe 电池、80 年代的Cu(In, Ga) Se 、90 年代的 Cu ZnSnS 电池, 再到最近的Cu ZnSn(S, Se) 和CH NH PbI 电池, 组成光伏半导体的元素种类从 元逐 渐增多到五元. 元素种类的增多使得半导体物性调控的自由度增多, 物性更