半导体器件基本知识.ppt

2009/03 模拟电路 二. 二极管的模型及近似分析计算 例： I R 10V E 1kΩ D—非线性器件 i u RLC—线性器件 2009/03 模拟电路 二极管的模型 D U 串联电压源模型 U D 二极管的导通压降。硅管 0.7V；锗管 0.3V。 理想二极管模型 正偏 反偏 导通压降 二极管的V—A特性 2009/03 模拟电路 二极管的近似分析计算 I R 10V E 1kΩ I R 10V E 1kΩ 例： 串联电压源模型 测量值 9.32mA 相对误差 理想二极管模型 R I 10V E 1kΩ 相对误差 0.7V 2009/03 模拟电路 例：二极管构成的限幅电路如图所示，R＝1kΩ，UREF 2V， 输入信号为ui。 1 若 ui为4V的直流信号，分别采用理想二极管模型、理想 二极管串联电压源模型计算电流I和输出电压uo 解：（1）采用理想模型分析。 采用理想二极管串联电压源模型分析。 2009/03 模拟电路 （2 如果ui为幅度±4V的交流三角波，波形如图（b）所示， 分别采用理想二极管模型和理想二极管串联电压源模型 分析电路并画出相应的输出电压波形。 解：①采用理想二极管 模型分析。波形如图所示。 0 -4V 4V ui t 2V 2V uo t 2009/03 模拟电路 0 2.7V uo t 0 -4V 4V ui t 2.7V ②采用理想二极管串联电压源模型分析，波形如图所示。 2009/03 模拟电路 三. 二极管的主要参数 1 最大整流电流IF—— 二极管长期连续工作时， 允许通过二极管的最大 整流电流的平均值。 2 反向击穿电压UBR——— 二极管反向电流 急剧增加时对应的反向 电压值称为反向击穿 电压UBR。 3 反向电流IR—— 在室温下，在规定的反向电压下的反向电流值。硅二极管的反向电流一般在纳安 nA 级；锗二极管在微安 ?A 级。 2009/03 模拟电路 当稳压二极管工作在反向击穿状态下,工作电流IZ在Izmax和Izmin之间变化时,其两端电压近似为常数 稳定电压 四、稳压二极管 稳压二极管是应用在反向击穿区的特殊二极管 正向同二极管 反偏电压≥UZ 反向击穿 ＋ UZ － 限流电阻 2009/03 模拟电路 稳压二极管的主要参数 1 稳定电压UZ —— 2 动态电阻rZ —— 在规定的稳压管反向工作电流IZ下，所对应的反向工作电压。 rZ ?U /?I rZ愈小，反映稳压管的击穿特性愈陡。 3 最小稳定工作 电流IZmin—— 保证稳压管击穿所对应的电流，若IZ＜IZmin则不能稳压。 4 最大稳定工作电流IZmax—— 超过Izmax稳压管会因功耗过大而烧坏。 2009/03 模拟电路 本章小结 1．半导体材料中有两种载流子：电子和空穴。电子带负电，空穴带正电。在纯净半导体中掺入不同的杂质，可以得到N型半导体和P型半导体。 2．采用一定的工艺措施，使P型和N型半导体结合在一起，就形成了PN结。PN结的基本特点是单向导电性。 2009/03 模拟电路 3．二极管是由一个PN结构成的。其特性可以用伏安特性和一系列参数来描述。在研究二极管电路时可根据不同情况，使用不同的二极管模型。 本章小结（续） * * 模拟电路 模拟电路 模拟电路 模拟电路 模拟电路 模拟电路 模拟电路 模拟电路 模拟电路 模拟电路 模拟电路 模拟电路 2009/03 模拟电路 1.1 半导体的基本知识 在物理学中。根据材料的导电能力，可以将他们划分导体、绝缘体和半导体。 典型的半导体是硅Si和锗Ge，它们都是4价元素。 硅原子 锗原子 硅和锗最外层轨道上的四个电子称为价电子。 2.1.1 半导体特性 ? 何谓半导体 物体分类 导体 如：金属 绝缘体 如：橡胶、云母、塑料等。 — 导电能力介于导体和绝缘体之间。 半导体 ? 半导体特性 掺入杂质则导电率增加几百倍 掺杂特性 半导体器件 温度增加使导电率大为增加 热敏特性 热敏器件 光照不仅使导电率大为增加还可以产生电动势 光敏特性 光敏器件 光电器件 常用的半导体材料有： 元素半导体：硅（Si）、锗（Ge） 化合物半导体：砷化镓（GaAs） 掺杂材料：硼 B 、铟 In ；磷 P 、锑 Sb 。 2009/03 模拟电路 本征半导体的共价键结构 束缚电子 在绝对温度T 0K时，所有的价电子都被共价键紧紧束缚在共价键中，不会成为自由电子，因此本征半导体的导电能力很弱，接近绝缘体。 一. 本征半导体 本征半导体——化学成分纯净的半导体晶体。 制造半导体器件的半导体材料的纯度要达到99.座机电话号码%，常称为“九个9”。 2009/03 模拟电路 这一现象