半导体物理2010(第四章).ppt

第四章 半导体的导电性;§4.1载流子的漂移运动和迁移率§4.1.1欧姆定律;§4.1载流子的漂移运动和迁移率§4.1.2 漂移速度和迁移率;§4.1载流子的漂移运动和迁移率§4.1.2 漂移速度和迁移率;§4.1载流子的漂移运动和迁移率§4.1.3 半导体的电导率;§4.2 载流子散射§4.2.1 载流子散射的概念;§4.2 载流子散射§4.2.1 半导体的主要散射机构;§4.2 载流子散射§4.2.1 半导体的主要散射机构;§4.2 载流子散射§4.2.1 半导体的主要散射机构;§4.2 载流子散射§4.2.1 半导体的主要散射机构;§4.2 载流子散射§4.2.1 半导体的主要散射机构;§4.2 载流子散射§4.2.1 半导体的主要散射机构;§4.2 载流子散射§4.2.1 半导体的主要散射机构;§4.2 载流子散射§4.2.1 半导体的主要散射机构;§4.2 载流子散射§4.2.1 半导体的主要散射机构;§4.3 迁移率与杂质浓度和温度的关系§4.3.1 平均自由时间与散射概率的关系 ;§4.3 迁移率与杂质浓度和温度的关系§4.3.2电导率、迁移率与平均自由时间的关系;§4.3 迁移率与杂质浓度和温度的关系§4.3.2电导率、迁移率与平均自由时间的关系;§4.3 迁移率与杂质浓度和温度的关系§4.3.2电导率、迁移率与平均自由时间的关系;§4.3 迁移率与杂质浓度和温度的关系§4.3.3 迁移率与杂质和温度的关系;§4.3 迁移率与杂质浓度和温度的关系§4.3.3 迁移率与杂质和温度的关系;§4.3 迁移率与杂质浓度和温度的关系§4.3.3 迁移率与杂质和温度的关系;§4.3 迁移率与杂质浓度和温度的关系§4.3.3 迁移率与杂质和温度的关系;§4.3 迁移率与杂质浓度和温度的关系§4.3.3 迁移率与杂质和温度的关系;§4.3 迁移率与杂质浓度和温度的关系§4.3.3 迁移率与杂质和温度的关系;§4.4电阻率与杂质浓度和温度的关系;§4.4 电阻率与杂质浓度和温度的关系;§4.4电阻率与杂质浓度和温度的关系;§4.4电阻率与杂质浓度和温度的关系;§4.4 电阻率与杂质浓度和温度的关系;§4.5 强电场效应;§4.5 强电场效应;§4.5 强电场效应;§4.5 强电场效应;§4.5 强电场效应;§4.6 耿氏效应;§4.5 耿氏效应;§4.5 耿氏效应; 1 室温下，本征锗的电阻率为47Ω·cm，若掺入杂质锑，使每百万分之一的锗原子中有一个杂质原子，计算室温下材料的电阻率。（已知室温下μn=3600 cm2/V·s, μp=1700 cm2/V·s,锗原子浓度为4.4×1022/cm3） 2在半导体锗材料中掺入施主杂质浓度为1014/cm3 ,受主杂质浓度为7×1013/cm3 ,设室温下本征锗的电阻率为60Ω·cm，假设电子和空穴的迁移率分别为μn=3800 cm2/V·s, μp=1800 cm2/V·s，若在样品两端施加电压，使流过样品的电流密度为52.3mA/cm2 ,求所加的电场强度的大小。 ;本章小结