微机原理与接口技术第6章要点.ppt

第6章 微型计算机中的存储器 本章内容提要 6.1 存储器入门 6.2 随机存取存储器 6.3 只读存储器 6.4 高速缓冲存储器 6.5 外部存储器 本章小结 * * 6.1 存储器入门 6.2 随机存取存储器 6.3 只读存储器 6.4 高速缓冲存储器 6.5 外部存储器 6.1.1 存储器的分类 按照存储器在微机系统中作用的不同，存储器可分为外存储器和内存储器。 按照存储介质的不同，存储器可分为半导体存储器、磁介质存储器和光存储器。 按照存取方式的不同，内存储器可分为随机存取存储器（RAM）和只读存储器（ROM）。 6.1.2 存储器的性能指标 存储器容量 存取时间 故障平均间隔时间（MTBF） 存取周期 存储器带宽 6.2.1 静态随机存取存储器6264 1．6264的引脚及其功能 6264是一个8K×8位静态随机存取存储器芯片 A0~A12： D0~D7： CS1和CS2： OE： WE： 13条地址线说明6264芯片上有8K（213＝8192）个存储单元 8条数据线说明6264芯片的字长为8位 片选控制端，当CS1为低电平、CS2为高电平时，该芯片被选中，CPU才可以对它进行读/写操作 输出允许端，为低电平时，CPU才能从芯片中读出数据 写允许端，为低电平时，允许数据写入芯片 2．静态RAM 6264的工作过程 6264的操作方式 读操作时序 写操作时序 3．与系统的连接 全地址译码连接 地址范围为3E000H~3FFFFH。 部分地址译码连接 地址范围为AE000H~AFFFFH，BE000H~BFFFFH，EE000H~EFFFFH和FE000H~FFFFFH。 6.2.2 动态随机存取存储器2164 1．2164的引脚及内部结构 2164是一个64K×1位的动态RAM芯片，其引脚包含8条地址线A0~A7，数据输入端DIN，数据输出端DOUT，行地址选通RAS，列地址选通CAS和写允许端WE（高电平时为数据读出，低电平时为数据写入） 内部结构 2．动态RAM 2164的工作过程 读操作时序 写操作时序 3．动态RAM 2164的刷新 动态RAM与静态RAM最大的不同就是不能长时间保存数据。由于电容不能长期保持其内部存储的电荷，因此它需要在电荷消失之前进行刷新操作，以保持电荷稳定。这种通过对动态RAM的存储单元执行重读操作，以保持电荷稳定的过程称为动态存储器的刷新。 6.2.3 存储器的扩展 1．位扩展 增加存储器的字长，即对每个存储单元的位数进行扩展 用8K×1的RAM芯片构成8K×8的存储器系统 2．字扩展 增加存储器字的数量，即对存储单元的个数进行扩展 用16K×8位芯片构成64K×8位存储器 各芯片的地址范围 3．字位扩展 字位扩展是指字扩展和位扩展的组合。 若使用L×K位存储器芯片构成一个容量为M×N位(ML，NK)的存储器，那么这个存储器共需要(M/L)×(N/K)个存储器芯片。连接时可将这些芯片分成(M/L)个组，每组有(N/K)个芯片，组内采用位扩展法，组间采用字扩展法。 掩膜只读存储器ROM 可编程只读存储器PROM 紫外线可擦除可编程只读存储器EPROM 电可擦除可编程只读存储器EEPROM 闪速存储器 6.3.1 可擦除重写只读存储器EPROM 2764 1．EPROM 2764的引脚及其功能 A0~A12： D0~D7： OE： 2764是一个8K×8位的紫外线可擦除可编程只读存储器芯片 13条地址线，该芯片上有8K（213＝8192）个存储单元 8条数据线，每个存储单元存储一个字节的信息 CE： 选片控制端，为低电平时，表示该芯片被选中 输出允许端，为低电平时，表示从数据线输出数据 PGM： 编程脉冲输入端。对EPROM编程时，输入编程脉冲；读操作时，输入高电平 2．EPROM 2764的读出操作 读操作时序 3．EPROM 2764的编程写入 标准编程方式：每出现一个编程负脉冲就写入一个字节的数据 快速编程方式：使用的是宽度很窄的编程脉冲 4．EPROM 2764的擦除操作 用紫外线照射EPROM窗口15~20分钟即可擦除干净 一片新的或擦除干净的EPROM芯片，其每个存储单元的内容都是0FFH 6.3.2 电可擦除只读存储器EEPROM 98C64 1．EEPROM 98C64的引脚及其功能 A0~A12： D0~D7： OE： 98C64是一个8K×8位电可擦除可编程只读存储器芯片 CE： 13条