高压纳秒脉冲下空绝缘沿面闪络特性研究.pdf

摘瑟 IIIIII !=!詈詈=兰燃燃IIIIIIIII I[1l 一_ ． II=詈燃燃篡竺========寰拳嚣 摘要 真空一绝缘体交界面是一个物理性质和化学性质均不同予真空状态和绝缘介质内郝 的物质相，真空绝缘沿面闪络现象的存在严重制约着高压真空电气设备的耐压能力。基于 脉冲功率技术高电压、大电流、窄脉宽的发展趋势，高压纳秒脉冲真空绝缘沿面闪络特性 研究具有非常重要的实践意义。 真空绝缘沿面闪络特性研究的实验平台，以聚四氟乙烯、尼龙和有机玻璃等绝缘材料为研 究对象，对气压、绝缘体形状、电极材料、电极与绝缘体接触方式等因素对沿面闪络特性 的影响进行了全面的实验研究和理论分析，提出真空绝缘结构设计的指导建议。 通过电场数值模拟和理论计算，对实验结果进行分析讨论：(1)阴极三结合点(电极、 真空、绝缘体交界处)在真空沿面闪络过程中的作用，不仅限于绝缘体与阴极闻存在的微 小空隙导致此处电场增强，更为重要的是，靠近三结合点区域的电极表面场致发射电子相 比电极其它部位有更多机会与绝缘体表面发生碰撞，参与沿绝缘体表面的电子倍增过程； (2)真空绝缘沿面闪络电压与外加电压随时闯的上舞速率有关。在直流、交流以及宽脉 冲电压波形条件下，电压上升速率相对缓慢，放电时延内电压增幅可忽略不计。纳秒脉冲 电压上升速率极大，放电时延内电压增幅较大，纳秒脉冲闪络电压高于其它电压波形；(3) 绝缘体袭瑟电荷电场的建立是闪络过程能够持续发展的必要条件。放电之初，绝缘体表疆 缺乏吸弓l阴极场致发射电子囱绝缘体表面方向发生偏转的正电荷，初始电子与绝缘体表面 发生碰撞的几率非常小。绝缘体表面充电需要一定的时间过程，充电时间与外施电压波形 有关，真空沿蘧闲络现象发生的最大阻碍在初始阶段，纳秒脉冲条件下，绝缘体表面充咆 时间不应忽略。 沿面闪终电压与气压变化无关的结论。高真空条件下，背景环境电子平均离盘程远大予极 间距离，电子碰撞电离已不可能发生，此时气压与极问距离乘积pd最大值远小于巴申定 律适用范豳内的西最小值(100mm·Pa)。沿殛闪终发生并非依赖背景环境气体分子，绝 缘体表面吸附气体释放是导致闪络发生的关键。根据克努森(Knudsen)余弦漫反射定律， 推证固体表面吸附气体层形成非常迅速。由于电子质量与分子质量问的驻大差异，吸附气 i 高压纳秒脉冲下真窄绝缘沿面闪络特性研究 体分子脱附并非主要依靠电子能量和动量的直接转移，而是受到电子的激励和离解，从低 能态被激发到高能态——激发态或电离态，导致吸附分子在固体表面平衡受到破坏，分子 间碰撞加剧，进而使吸附分子克服固体表面位垒脱附到真空中。在初始电子激励下，气体 脱附过程始于闪络发生之前。闪络发生之时，绝缘体表面已形成良好的气体放电环境。真 空沿面闪络现象，事实上是一种在绝缘体表面气体脱附后形成一高气密环境中发生的贯穿 性放电过程。 分析探讨了目前真空绝缘沿面闪络机理的研究成果，阐述电子触发极化松弛理论研究 背景与纳秒脉冲真空沿面闪络间存在的较大差异。认为电子触发极化松弛理论不适于分析 纳秒脉冲沿面闪络问题，基于电子激励解吸附原理的二次电子崩理论对解释纳秒脉冲真空 沿面闪络实验现象更为适宜。对发生于纳秒脉冲上升沿的真空沿面闪络而言，外施电场处 于持续上升过程直至闪络通道贯穿，整个闪络过程并未真正达到贯通两极的一个相对平衡 状态(二次电子发射系数为1)，而是一个从阴极沿绝缘体表面向阳极不断推进，渐进地 向相对平衡状态不断逼近的过程。真空沿面闪络现象发生的实质是电子沿绝缘体表面的倍 增过程，依据电子激励解吸附二次电子崩理论推导得出沿面闪络场强、闪络电压与各相关 物理参数间的关系表达式，据此得出的关系曲线与分析结论相符。 关键词：纳秒脉冲、真空、沿面闪络、阴极三结合点、脱附 摘要 ABSTRACT interfacearemuch andchemicalc