TCL(透明导电层)工艺介绍和工艺控制.概述.pptVIP

内容简介 Ni/Au膜层制备介绍 Ni/Au膜层工艺控制及监测 ITO材料介绍 ITO膜层制备介绍 ITO膜层工艺控制及监测 Ni/Au膜层制备介绍 Ni/Au透明电极层的制备 蒸发真空度：7.5E-7torr 蒸发厚度： Ni=20? Au=90? 蒸发速率： Ni=0.4?/sec Au=2?/sec 退火温度： 450℃ 退火时间： 30m 退火气体： 空气 Ni/Au膜层厚度对LED工作电压的关系 Ni/Au退火机理 a）.将Ni/Au－ p-GaN接触置于含O2的气氛中退火后接触电阻会明显降低，究其原因就是在界面处形成了NiO； b）.由于Ni对O2的亲和力比Au大，所以Ni向外扩散，通过Au的晶界与表面的O2发生反应NiO。与此同时，Au向内扩散，形成富Ni的Au。呈不连续状Au岛与p-GaN紧密接触，并被连续的NiO薄膜所覆盖。 TCL退火前后的亮度比较 Ni/Au膜层工艺控制及监测 SPC管理图(蓝光波段) SPC管理图(绿光波段) ITO材料介绍 高密度 低密度 厚度与方块电阻 厚度与透光度 (退火后) ITO膜层退火条件 温度：550℃ 时间：30m 气体：O2 2.4L/m N2 4.8L/m 温度：520℃ 时间：4m/18m/4m 气体：N2 4L/m ITO膜层退火前后透光度变化 ITO膜层工艺控制及监测 工艺控制点 在工艺技术上用两个指标来衡量ITO膜的性能，分别是：薄膜的光学透过率和薄膜的膜层方块电阻。 判定标准： 退火前 光学透过率≥85% 方块电阻≤20Ω/□ 退火后 光学透过率≥90% 方块电阻≤60Ω/□ 退火前SPC管理图 退火后SPC管理图 其他工艺控制点 粘附性：由于ITO膜是在高真空环境下生长，在清洗条件控制好的情况下，粘附性也会很好。 厚度：可在ITO膜层腐蚀之后，或者ITO退火之后进行。 致密性：根据腐蚀情况而定。 谢谢大家 * * TCL工艺介绍和工艺控制 TCL透明导电层（Transparent Conductive Layer） TCL的作用： a）.扩散电流； b）.透光（退火后透光率在70％以上）； c）.降低p-GaN的接触电阻。 ITO即氧化铟锡（Indium tin oxide ） ITO是由In2O3和SnO2烧结而成，通常的烧制比例是 In2O3:SnO2=90:10和In2O3:SnO2=95:5两种，按密度区分还有高密度和低密度，按形状区分还有锭状和颗粒状，目前我公司采用的是颗粒状90:10高密度的ITO材料。 ITO材料是一种n型半导体材料，由于具有高的导电率、高的可见光透过率、高的机械硬度和化学稳定性 、膜层加工性能好，便于刻蚀，所以在GaN基LED中采用ITO代替Ni/Au作为透明电极，在电压提升不多的情况下，可以使LED的出光效率提高30%以上。 ITO膜层制备介绍 蒸发真空度： 5.2E-5torr 蒸发速率：1.0?/sec O2流量：15sccm 温度：180℃ 蒸镀厚度：2400? 目前我公司蒸镀ITO的设备采用的是聚昌科技的Peva-600I型电子束蒸发镀膜机。 影响ITO膜层的工艺参数： O2流量 蒸镀温度 膜层厚度 退火温度 退火使用气体 蒸镀过程中改变O2流量可以调节ITO膜的透光度，方块电阻会随O2流量增大而变大。 蒸镀过程中温度会对ITO膜的致密性造成影响，进而对ITO膜的腐蚀时间有一定影响。 氧气流量与方块电阻和透光度的关系 厚度SPC管理图 *