面向智能电网的全方位解决方案课件.ppt

* 0.18μm及其缩小化的逻辑与混合信号制程: 支持单栅极，最多六层金属互联层 提供通用工艺，低功耗工艺，提供经过工艺验证的设计库 支持多阈值电压 提供高多晶硅电阻，MIM（金属－绝缘层－金属）电容 提供广泛的IP例如USB 2.0，OTP/MTP，以及通用模拟IP 0.13μm及其缩小化的逻辑与混合信号制程: 支持单栅极，最多七层铝互联层 提供通用工艺和低功耗工艺，提供经过工艺验证的设计库 支持多阈值电压 提供高Rsh多晶硅电阻，MIM（金属－绝缘层－金属）电容 Smart grid Wind Power Power Train 600V 1200V 1700V 6500V …… Voltage Current IGBT在各个领域地位愈发重要 Solar Inverter HEV/EV UPS Welding Machine Induction Cooker White Goods Motor Control DSC Strobe Flash Auto Ignition 发电和输电:IGBT 器件作用持续增加 逐渐取代 SCR 和 GTO 新能源:可再生能源并网的关键 用电环节：IGBT 器件使电能转化效率大大提高 目前全球IGBT制造技术开始迈入8寸时代，甚至已经开始12寸生产线的研究； 超过8家工厂（IDM）开始使用8寸生产线生产IGBT； 华虹NEC是国内第一个提供IGBT技术的 8英寸晶圆代工厂: 1200V NPT技术已经进入量产； 1700V NPT技术即将进入量产； 600V~ 6500V的field stop IGBT技术正在开发中 ，其中 6500V IGBT技术已达到 7100V的阻断电压 到2020年， 我国智能电表芯片使用量将达 24亿颗， 平均每年2.4亿颗 华虹NEC与宏力的模拟工艺技术和嵌入式闪存技术非常适合以上各种类型的芯片 智能电表芯片解决方案 Source: China EPRI, TRI 已集成嵌入式闪存存储器 主要智能电表芯片分类 现有客户市场渗透率 Metering 计量芯片 4.4亿颗 50% MCU 微控制器 4.4亿颗 30% Security 安全芯片 7亿颗 25% RTC 时钟芯片 4.4亿颗 5% PLC 电力线载波芯片 4.4亿颗 30% * 高精度模拟工艺及发展 模拟系列工艺平台符合高精度模拟设计需要，从 0.5um延伸到 0.18um 10多年成熟量产，高可靠性 丰富的高精度模拟IP选择 同时提供业内领先的OTP/MTP，便于产品线延伸 在智能电表计量、控制和时钟控制产品方面保持高占有率 CZ6H+S CZ6S 基于CZ6H的shrink CZ6H+ FEOL 0.5um BEOL 0.35um * 0.13um 0.13um 高性能模拟CMOS 0.18um 0.18um 高效低成本CMOS 0.18微米嵌入式闪存技术优势 * A-180-ESF1 0.13微米嵌入式SONOS闪存和EE 0.13um SONOS技术是高度可缩小化的技术，可以延展到0.05微米甚至更远。相比传统浮栅（Floating Gate)闪存单元结构，有以下优点： SONOS工艺简单，制造成本低，具有与标准 CMOS工艺高度兼容性 更高的可靠性：一百万次擦写能力，30年数据保存能力 更低静态功耗 实现 Flash和EEPROM的完美兼容 更小的IP面积等 目前智能电网中的主要芯片都已在该工艺上量产，其中部分产品占据整个市场份额的 50%以上 0.13um SRAM leakage：Only 0.1pA/Bit cell EEPROM Cell Size Comparison Table * 高端MCU平台 * MCU Core/SRAM/ROM/ Core Logic E-Flash/EEPROM Memory Anti-Noise VCC GND IO Cells VCC GND ADC/Comparator/USB Transceiver VCC GND Oscillator Pad/ RC Oscillator VCC GND Voltage Regulator/PMU VCC GND VDD POR/BOR VDD GND Voltage Detector VCC GND 已取得 ARM Cortex-M0 授权，方便客户使用ARM内核，切入高端市场 丰富和可靠的0.18um和0.13um的嵌入式 Flash和真正的EEPROM，适合高端高可靠的应用 丰富和可靠的自有和第三方IP（如USB1.1，