半导体及集成电路领域的撰写及常见问题祥解.ppt

四、导致驳回的几种常见情况及案例分析 1 . 驳回的条件 1）属于专利法实施细则第五十三条规定的驳回情形； 2）给申请人至少一次陈述意见和/或进行修改申请文件的机会； 3）申请人在指定的期限内未提出有说服力的意见和/或证据，也未对申请文件进行符合专利法及实施细则规定的修改； 4）或者修改后的申请文件中仍然存在足以用已通知过申请人的理由和证据予以驳回的缺陷。 2 . 驳回的种类 1）发明专利申请的主题违反国家法律、社会公德或者妨碍公共利益，或者申请的主题属于专利法第25条规定的不授予发明专利权的客体；（专利法第5条和25条） 2）申请的发明不具备新颖性、创造性和实用性；（专利法22条） 3）发明专利法申请没有充分公开请求保护的主题（专利法第26条第3款），或者权利要求未以说明书为依据；（专利法第26条第4款） 4）申请不符合专利法关于发明专利申请单一性的规定（专利法第31条第1款）； 5）申请的发明根据“先申请原则”不能取得专利权（专利法第9条），或者申请不符合“一发明创造、一专利”的规定；（专利法实施细则第13条第1款）； 6）发明专利申请不是对产品、方法或者改进所提出的新的技术方案（细则第2条第1款）； 7）权利要求书不清楚、简要（专利法实施细则第20条第1款），独立权利要求缺少解决技术问题的必要技术特征（专利法实施细则第21条第2款）； 8）申请的修改或者分案的申请超出原说明书和权利要求书记载的范围（专利法第33条）。 3 . 案例 发明名称：半导体器件的制造方法 申请简介： 薄膜半导体形成的薄膜晶体管（TFT）通常使用无定形硅膜作为半导体层，通常使用催化元素使其晶化，利用等离子体处理或蒸镀会大量引入上述元素产生不利影响。 发明目的： 控制引入催化剂元素的量，并且将其控制在最低限度的量 也就是，仅仅在表面引入极微量催化元素 申请文件中的部分权利要求： 1）独立权利要求1中包含特征“使含促进结晶化的催化剂元素的溶液与暴露的无定形硅膜连接的工序”； （不支持） 2）从属权利要求4的附加技术特征为催化剂元素使用选自VIII族、IIIb族、IVb族、Vb族元素中的一种或几种元素。 审查过程： 在第一次审查意见通知书中的其中一条意见中指出：特征“使?溶液与?硅膜连接的工序”概括了很宽的范围，连接包括很多种，仅机械连接就有很多种，而说明书中仅给出了旋转涂敷的实施例1-4，因此权利要求1没有以说明书为依据，不符合专利法第26条第4款的规定，请申请人根据说明书具体限定。 此外，在第一次审查意见通知书中没有提及从属权利要求4的缺陷。 但申请人在答复审查员的第一次审查意见通知书提交的权利要求书中， 1）将“无定形硅膜”替换为“含有无定形硅的膜”；（超范围） 2）没有对特征“连接”进行修改（不支持） 3）将权利要求4中的“VIII族、IIIb族、IVb族、Vb族”修改为“8、9、10族、IIIb 13族、14族、15族”。（超范围） 针对上述缺陷审查员在第二次审查意见通知书中指出： 1）‘含有无定形硅的膜’的含义为该膜除了含有无定形硅之外还含有其它成分，已超出了‘无定形硅膜’的含义，并且该特征既没有明确地记载在原说明书和权利要求书中，也不能由原说明书和权利要求书所记载的‘无定形硅膜’的内容直接导出，因此超出了原说明书和权利要求书记载的范围，不符合专利法第33条的规定，是不允许的。 2）申请人将权利要求4中的“VIII族、IIIb族、IVb族、Vb族”修改为“8、9、10族、IIIb 13族、14族、15族”，然而修改后的“8、9、10族、IIIb 13族、14族、15族”既没有明确地记载在原说明书和权利要求书中，也不能由原说明书和权利要求书所记载的“VIII族、IIIb族、IVb族、Vb族”的内容直接导出，因此超出了原说明书和权利要求书记载的范围，不符合专利法第33条的规定，是不允许的。 3）独立权利要求1中出现特征“连接”概括了很宽的范围，使一种物质与另一种物质相连接有很多种方式，机械方式的连接就有很多种，即使在本领域中使两种膜相接触的方式也有很多种，例如溅射、蒸镀、CVD、等离子体处理、涂敷等等，但并非这些方法都能达到本申请说明书第3页第四段中‘控制引入催化剂元素的量’的要求， 从说明书第2页最后一段中申请人指出等离子体处理不能有效地控制引入起作用的催化元素的量，说明书第3页第2段中申请人指出蒸镀法也不能严格地控制催化剂元