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第四章光辐射的探测技术
1
4.4 光电导探测器-光敏电阻
半导体材料受光照射时,由于吸收光能量而形成非
平衡载流子而导致材料电导率增加,这种现象称为
光电导效应。
利用光电导效应制作的光探测器称为光电导探测器,
简称PC(Photoconductive)探测器,通常又称为光敏电
阻。
2
1. 工作原理
光电导探测器是在均质的光电导体两端加上电极后构成的。
两电极加上一定电压后,当光照射到光电导体上时,材料形
成本征吸收或杂质吸收,产生光生载流子,在外加电场作用
下沿一定方向运动,在光探测器输出回路中产生反映光信号
强度的光电流。
E
N XN XP P
3
V
光敏电阻演示
• 当光敏电阻受到光
照时,光生电子— 空
穴对增加,阻值减小,
电流增大。
暗电流(越小越好)
4
光电导探测器原理及符号
5
光电转换原理
以非本征N型材料为例,u表示外加偏置电压,L、W 、H分
别表示材料的尺寸,光功率P在x方向均匀入射。光电流 i 等于
多少?
( )
J ev n x
n
H
i ∫0 JWdx
H
ev W n x dx eη
n ∫0 ( ) i hν M ⋅P
αη ( )
P x H
( ) ⋅τ −αx
n x 有效量子效率 η ( )
hνWL n αη 1−r ∫ e dx
0
( ) −αx ( ) 光电导探测器是具有电流内增益
P x Pe 1−r
的探测器。
6
光敏电阻的结构和偏置电路
7
光敏电阻
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