第6章磁敏式传感器祥解.ppt

* 图6-10 b 3个运算放大器构成的差动放大器 6.2 霍尔传感器 ◆在图6-10的电路中，既可以使用霍尔效应传感器的交流电压输出，也可以使用它的直流输出，则可以构成如图6-11所示的电路，使用了隔直流电容器。 6.2 霍尔传感器 Ig：电容器的漏电流（直流成分） 图6-11 a 电容器漏电流的影响 6.2 霍尔传感器 图6-11 b 3个运算放大器构成的差动放大（1） 6.2 霍尔传感器 图6-11 c 3个运算放大器构成的差动放大（1） 6.2.3 霍尔元件的补偿电路 1）霍尔元件不等位电势补偿 不等位电势与霍尔电势具有相同的数量级，有时甚至超过霍尔电势，因而必须采用补偿的方法。如图 6-12 所示 。 6.2 霍尔传感器 图6-12不等位电势补偿电路 ◆其中A、B为激励电极，C、D为霍尔电极，极分布电阻分别用R1、 R2、 R3、 R4表示。理想情况下，R1=R2=R3=R4，即可取得零位电势为零（或零位电阻为零）。实际上，由于不等位电阻的存在，说明此四个电阻值不相等，可将其视为电桥的四个桥臂，则电桥不平衡。为使其达到平衡，可在阻值较大的桥臂上并联电阻（如图6-12（a）所示），或在两个桥臂上同时并联电阻（如图6-12（b）所示）。 6.2 霍尔传感器 2）霍尔元件温度补偿 ◆霍尔元件是采用半导体材料制成的，因此它们的许多参数都具有较大的温度系数。 ◆为了减小霍尔元件的温度误差，除选用温度系数小的元件或采用恒温措施外，由UH=KHIB可看出：采用恒流源供电是个有效措施，可以使霍尔电势稳定。但也只能减小由于输入电阻随温度变化而引起的激励电流I变化所带来的影响。霍尔元件的灵敏系数KH也是温度的函数，它随温度的变化引起霍尔电势的变化。霍尔元件的灵敏度系数与温度的关系可写成： （6-23） 6.2 霍尔传感器 式中： KHO--温度T0时的KH值；ΔT=T-T0--温度变化量；α--霍尔电势温度系数。 ◆并且大多数霍尔元件的温度系数α是正值，它们的霍尔电势随温度升高而增加（1+αΔT）倍。如果，与此同时让激励电流I相应地减小，并能保持KHI乘积不变，也就抵消了灵敏系数KH增加的影响。图6-13就是按此思路设计的一个既简单、 补偿效果又较好的补偿电路。电路中用一个分流电阻Rp与霍尔元件的激励电极相并联从而达到补偿的目的。 6.2 霍尔传感器 图6-13 恒流源温度补偿电路 在图6-13所示的温度补偿电路中，设初始温度为T0，霍尔元件输入电阻为Ri0，灵敏系数为KH1，分流电阻为Rp0，根据分流概念得 ： 6.2 霍尔传感器 6.2 霍尔传感器 当温度升至T时，电路中各参数变为: 式中： δ——霍尔元件输入电阻温度系数； β——分流电阻温度系数。 则： 6.2 霍尔传感器 温度升高ΔT，为使霍尔电势不变，补偿电路必须满足温升前、后的霍尔电势不变，即 : 将式（6-20）、（6-21）、（6-24）代入上式，经整理并略去α、β、ΔT2高次项后得: ◆当霍尔元件选定后，它的输入电阻Ri0和温度系数δ及霍尔电势温度系数α是确定值。由式（6-27）即可计算出分流电阻Rp0及所需的温度系数β值。为了满足R0及β两个条件，分流电阻可取温度系数不同的两种电阻的串、并联组合，这样虽然麻烦但效果很好。 6.2 霍尔传感器 磁敏电阻器是基于磁阻效应的磁敏元件。磁敏电阻是磁阻位移传感器、无触点开关等的核心部件。 6.3.1 磁阻效应 ◆当一载流导体置于磁场中，其电阻会随磁场而变化，这种现象被称为磁阻效应。当温度恒定时，在磁场内，磁阻和磁感应强度B的平方成正比。理论推导出来的磁阻效应方程为： 式中， 是磁感应强度为B的电阻率； 是零磁场下的电阻率；μ是电子迁移率；B是磁感应强度。 6.3 磁敏电阻器 ◆当电阻率的变化为 时，则电阻率的相对变化为： ◆可以看出 ，在磁感应强度Ｂ一定时，迁移率越高的材料（如InSb、InAs、NiSb等半导体材料）磁阻效应越明显。从微观上讲，材料的电阻率增加是因为电流的流动路径因磁场的作用而加长所致。 6.3 磁敏电阻器 6.3.2 磁敏电阻的结构 ◆ 磁阻效应除了与材料有关外，还与磁敏电阻的形状有关。考虑形状影响因素时，电阻率的相对变化为： 式中，l、b分别为电阻的长和宽； 是形状效应系数。 图6-14画出了三种不同形状的半导体内电流线的分布，第一行为