论深亚微米器件GOI及NBTI可靠性问题的的分析研究.pdfVIP

摘 要 随着技术的不断发展，电路的不断复杂，工艺制程的不断进步，从过去的 至45nm的由研发阶段到量产阶段。伴随着CMOS栅氧化层的厚度，沟道长度 的持续等比例缩小，MOS器件各个电参数变得越发的不稳定，诸如阈值电压漂 移，跨导下降、各向漏电流的增加等等。器件的持续恶化会进一步导致工作电流 阈值电压退化加速，引起栅氧的击穿，从而最终导致器件的失效。所以不够可靠 的栅氧化层，退化过快的器件，这些都已经成为制约集成度进一步提高的重要原 因。 Oxide 因此，本文以栅氧化层完整性测试(Gate Bias 负向偏压与温度造成的器件不稳定性现象(NegativeTemperature 可靠性测试方法、流程、分析与线上控制。同时，随着工艺的发展对我们可靠性 测试技术也提出了新的挑战。传统的测试方法已经远远不能满足工艺的进步，需 要加以改进与完善。因此本文针对深亚微米器件的栅氧漏电模式GOI以及器件 的NBTI问题，对其在测试中所面临的一些现象加以研究。并针对这些问题进行 的一些必要的测试方法