一种多模多频无线收发器前端SiGe BiCMOS低噪声放大器.pdfVIP

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2016-03-24 发布于天津
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一种多模多频无线收发器前端SiGe BiCMOS低噪声放大器.pdf

第39卷第 5期微电子学 V01．39，No．5 2009年 1O月 MZcroelectronics Oct．2009 一种多模多频无线收发器前端 SiGeBiCMOS 低噪声放大器周进，田亮，陈磊，阮颖，赖宗声 (1．华东师范大学微电子电路与系统研究所，上海 200062； 2．华东师范大学纳光电集成与先进装备教育部工程研究中心，上海 200062) 摘要：基于IBM0．18 rnSiGeBiCMOS工艺，提出了一种应用于2．442．5GHz802．1lb／g频段的低噪声放大器(LNA)。电路采用全差分发射极电感负反馈共射共基(Cascode)结构，对称电感有效地降低了芯片面积，优化了电路性能。仿真结果表明：该电路在2．4GHz到2．5GHz频率范围内，增益(S21)达到 25dB，噪声系数 (NF)小于 1．5dB，大幅度提高了收发机系统的性能。此外，输入和输出匹配(S11S22)分别达到一15dB，ldB压缩点大于一25dBm。电源电压为2．5V时电路总电流为 3mA。关键词：低噪声放大器；共射共基；siGe；BiCMOS 中图分类号：TN433 文献标识码：A 文章编号：1004—3365(2009)05—0631—04 SiGeBiCMOSLNA forMulti_。modeandM ulti-f·requency W irelessTransceiverFront-end ZHOUJin ，TIANLiang，CHENLei，RUANYing，LAIZongsheng， (1．InstituteofMicroelectronicCircuitandSystem．EastChinaNormalUniversity，Shanghai200062，P．R．C~ina； 2．EngineeringResearchCenterforNanophotonicsAdvancedInstrument，MinistryofEducation． EastChinaNormalUniversity．Shanghai200062，P．R．China) Abstract： A2．4-2．5GHzlownoiseamplifierinaccordancewithIEEE802．11b／gprotocolwasproposedbased onIBM 0．18／tm SiGeBiCMOSprocess．Inthiscircuit，differentialcascodestructurewithinductiveemitterdegen— erationwasused．Thechipareawasreducedandcircuitperformancewasoptimizedbyemployingsymmetricalin— ductors．Simulationresultsindicatde thatthecircuithadagain (S21)of25dBandanoisefigurelessthan1．5dBin thefrequencyrangefrom 2．4GHztO2．5GHz，whichsignificantlyimprovedperformanceofthetransceiversystem． Furthermore，aninput／outputimpdeancematching (Sll，S22)under一15dBanda1一dB compressionpointbetter than一25dBm wereachievedforthecircuit，whichdrew acurrentof3mA from