数字集成电路分析.ppt

反相器MOS PMOS最找进入市场,工艺简单,成本低 NMOS优于PMOS,速度高,μ 反向器是数字集成电路电路最基本的单元 反相器、倒相器、非门是一回事 MOS倒相器可分为 电阻负载型 增强型MOS管负载型 耗尽型MOS管负载型 负载管为PMOS管时的是称为CMOS倒相器 反相器MOS 耗尽型：栅源电压为零，导电沟道存在，只要加一定的漏源电压，就产生漏极电流 增强型：栅源电压加到一定程度，才形成沟道，后加漏源电压，就产生漏极电流。 反相器特征 输入为高电平；输出为低电平。 输入为低电平；输出为高电平。 两方面：直流传输特性；瞬态特性 MOS管直流传输特性 MOS管直流传输特性 随着输入电压增加,NMOS管先进饱和,后进入线性区 MOS管直流传输特性 当Vin VT时,驱动管截止,漏源之间有微量电流通过,电源电压大部分降到驱动管上了,输出电压Vout VDS,接近于VDD, 记作VOH 当Vin VT时,驱动管导通,并进入饱和 MOS管直流传输特性 Vin继续增大,当Vin-VT VDS时,线性工作区 MOS管直流传输特性 非线性图解,可得如图所示的传输特性曲线 通常把 MOS管直流传输特性 瞬态特性 tf 输出电压从摆幅的90%降到10%的时间 Tr 输出电压从摆幅的10%升到90%的时间 Tpf 输入阶跃处 t1 时刻到输出电压降至50% Tpr 输入阶跃处 t2时刻到输出电压升至50% 瞬态特性 下降时间 倒相器下降时间分两部分一部分是Cout从VOH---VOL nS ;另一部分沟道电子渡越时间 pS 只考虑放电时间,负载管的漏电流远小于ID 瞬态特性 下降时间 瞬态特性 下降时间 瞬态特性 下降时间 瞬态特性 下降时间 瞬态特性 上升时间 上升时间,是对电容充电过程 从10%----90% 瞬态特性 下降延迟时间 瞬态特性 下降延迟时间 瞬态特性 下降延迟时间 瞬态特性 上升延迟时间 功率延时乘积 要提高倒相器的工作速度,减少延迟时间,在一定输出等效电容的情况下,要增大输出电容放电和充电电流, 增大充电电流意味着增大负载管的功耗 增大放电电流意味着增大驱动管的功耗 提高速度和降低功耗是一对矛盾 用tpPav来作为电路性能的参数 功率延时乘积 电阻负载型MOS倒相器 电阻负载型MOS倒相器 当VOUT下降到Vin-VT值时,驱动管进入非饱和状态,它的电流方程为: 电阻负载型MOS倒相器V0H V0L VIH VIL V0H:如忽略漏电流的情况, V0H VDD 当输出电压为V0L时, 器件处在非饱和状态 电阻负载型MOS倒相器V0H V0L VIH VIL 电阻负载型MOS倒相器V0H V0L VIH VIL 电阻负载型MOS倒相器分析 输出高电平VOH VDD 输出低电平VOL与RLβ有关 RLβ越大,VOL越低 过渡斜率也与RLβ有关, RLβ越大,无论饱和还是非线性,斜率dVout/dVin越大,即过渡区越窄. 为了得到较低的VOL,窄的过渡区,在W/L一定的情况下,选择较大的电阻,占用较大的芯片面积,因此倒向器常采用晶体管作负载. 电阻负载型MOS倒相器的瞬态特性 电阻负载型MOS倒相器的瞬态特性 电阻负载型MOS倒向器的瞬态特性 电阻负载型功率延时乘积 电阻负载型功率延时乘积 电阻负载型功率延时乘积 电阻负载型总的功率延时乘积 电阻负载倒相器设计 电阻负载倒相器设计 电阻负载倒相器设计 电阻负载倒相器设计 电阻负载倒相器设计 电阻负载倒相器设计 电阻负载倒相器设计 增强型MOS负载倒相器 电阻型负载占用面积大;限制了使用,用NMOS晶体管代替线性电阻。 负载管与驱动管采用同样的制作工艺,工艺参数β相同。 驱动管:VDSD、VGSD、VTD、（W/L）D。 负载管:VDSL、VGSL、VTL、（W/L）L。 适当选择偏置，负载管可以工作在饱和与非饱和状态，分别称为饱和与非饱和增强型NMOS倒向器 增强型MOS负载倒相器 驱动管与负载管在同一衬底上 驱动管的源极与衬底电位相同，负载管的源极与衬底的电压VSBL VOUT，从而引起负载管的偏置效应。使负载管阈值电压是VOUT的函数 分别讨论两种情况：负载管饱和与非饱和 饱和增强型MOS负载倒相器 饱和增强型MOS负载倒相器 饱和增强型MOS负载倒相器 饱和增强型MOS负载倒相器 饱和增强型MOS负载倒相器 确定V0H V0L VIH VIL 饱和增强型MOS负载倒相器 确定V0H V0L VIH VIL 饱和增强型MOS负载倒相器 确定V0H V0L VIH VIL 饱和增强型MOS负载倒相器 确定V0H V0L VIH VIL 饱和增强型MOS负载倒相器 确定V0H V0L VIH VIL