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集成电路生产的3个阶段 图显示集成电路从晶圆的 （a）拉晶； （b）制造； （c）切割； （d）封装； 完成的简易流程； 图（e）为单一晶粒的集成电路放大图标 习惯以线路制造的最小线宽、晶片直径及DRAM（动态随机存储器）所储存的容量来评断集成电路的发展状况。 Chap11 后工艺 集成电路芯片制成后，还必须在基区和发射区上制备欧姆接触电极。对于集成电路，在制备欧姆接触电极的同时，还必须完成内引线互连，然后进行烧结，键合和封装，经过总测，成为产品。 （1）电极制备 在管芯的基区和发射区光刻引线孔,在真空中把铝蒸发淀积到硅片上，经光刻获得铝电极图形，然后进行合金化，使铝与引线孔内的硅形成欧姆接触。 (2)烧结 对含有数百个管芯的硅片进行初测，划片。再用适当的合金材料，将合格管芯的背面烧焊在管壳底座上，同时形成集电极欧姆接触。 （3）键合： 用铝丝或金丝把管芯上发射区和基区铝淀积与管座上相应的外引线连接起来。可采用热压键合或超声键合 （4）封装 用适当的材料将晶体管芯和周围气氛隔离开来。 经过前工艺之后，在一个大晶圆片上，已经形成了半导体器件或集成电路芯片，其数量有几千至数万，甚至上亿个，还必须经过背面减薄（蒸金）、初测（剔除不合格者）、划片、裂片（烧结或粘结）、内引线键合、表面涂敷、封装、气密性检漏、最后还需中测（再次剔除不合格者）、老化、成测（继续剔除不合格者）、喷漆、打印、包装、QC、入库等一系列工艺步骤。 11.1 减薄与划片 一、背面减薄和蒸金 １.? 目的：去除晶圆片背面不必要的杂质；太厚不宜于后道加工；为了减少串联电阻，有利于散热。 ２.? 方法：研磨 蒸金：目的是减少串联电阻，使接触更加完好，同时也便于焊接 。 二、划片 1.目的：将大圆片上每只芯片分割开来。 2.方法：激光划片或金钢刀划片。 3.主要事项 4.裂片：划片后把一个个芯片裂开。 5.镜检：用显微镜对单个芯片进行目视检查，剔除不合格芯片，确保下工序的合格率和提高器件的可靠性。 11.2 装片与烧结 镜检好得芯片，要放在管座上的指定位置，并且粘结牢固，这就是装片与烧结工艺。 一、装片所选用材料和要求 用粘结剂，又兼作欧姆接触电极，又称为合金材料。选用的合金材料要注意芯片的导电类型。例如，芯片是P型材料，就要选择受主型合金材料。 二、工艺过程及原理 烧结常用方法有：导电胶粘结法、银浆烧结法、金锑合金焊片烧结法和铅锡合金焊片烧结以及其它如共晶焊接法、电子束焊接法、激光焊接法等方法。 三、装片与烧结的质量要求和分析 １.? 质量要求 ２.? 质量分析：会出现的问题有虚焊、结特性变坏。 11.3内引线焊接工艺（键合工艺） 将半导体器件芯片上的电极引线与底座外引线连接起来的过程。热压焊接，超声焊接，带式自动键合。 一、焊接用的引线材料 选用材料不同，焊接效果不同。同时不同的焊接方法，所选用的焊接材料也是不同的。如热压焊接大多用金丝、铜铝丝、铜硅铝丝；超声键合大多用铝丝、硅铝丝、铜铝丝、铜硅铝丝等。 二、键合方式 热压键合：利用加温加压进行引线键合。 超声键合：利用超声波的能量，在不加热的情况下，将铝丝与铝电极直接键合。 带式自动键合（TAB）：将芯片自动键合到有引线针的铜箔带上，然后冲剪引线针并将其键合至基座。其最大特点是全部引线一次键合，效率高。 三、键合质量要求和分析 １.? 质量要求：压点对位正确，粗细引线选择，温度、功率、时间、压力的选择，内引线长度 ２.? 质量分析：脱键。压焊强度差。 11.4表面涂敷 在管芯压焊后的表面要覆盖一层黏度适中的保护胶、晶热固化后，牢固地紧贴在管芯表面上的工艺。 目的：使电极与引线之间的连接更加牢固可靠，可以避免周围气氛对器件性能的影响。经过表面涂敷之后，可以起到保护管芯、保护表面和固定内引线作用。 1.内涂料分类和性能 料好的电气性能；良好的传热性能；良好 粘附力和防潮能力；良好的化学稳定型、无腐蚀性和无毒害等 分类：硅树脂、硅橡胶、硅油及硅油制剂。 2.内涂敷工艺操作 11.5 封装 封装是利用某种材料将芯片保护起来，并与外界环境隔离的一种加工技术。 1.目的：其目的除了保护和隔离之外，还有：使管芯有一个合适的外引线结构、使管芯有一个散热和电磁屏蔽的条件、提高管芯的机械强度和抗外界冲击能力等。 电子封装是一个富于挑战、引人入胜的领域。它是集成电路芯片生产完成后不可缺少的一道工序，是器件到系统的桥梁。封装这一生产环节对微电子产品的质量和竞争力都有极大的影响。按目前国际上流行的看法认为，在微电子器件的总体成本中，设计占了三分之一，芯片生产占了三分之一，而封装和测试也占了三分之一，真可谓三分天下有其一。封装研究在全球范围的发展是如此迅猛，而它所面临的挑战和机遇也是自电子产品问