Chapter3-LED(mjx)解析.pptVIP

Ch.3 半导体理论基础与发光二极管（LED）;§1 半导体理论基础;２。晶体;晶格的原胞：晶格最小的周期性单元。（原胞选取不惟一，但多用习惯的选法，不能很好地反映晶体的周期性。） 晶格的基矢量 ：原胞的边矢量。;（7个晶系，14种晶格结构）;常用半导体材料的晶格结构;二、 半导体的能带结构　　;根据量子力学理论，计算出电子能量和电子动量 之间的关系 E(k)具有对称性 E-k关系与k的大小和方向都有关，依据E-k关系可以绘出能带图，如右图。;导体、半导体、绝缘体的能带 半导体内部的电子可以做多样化运动，它的性质密切依赖于杂质、光照、温度、压力等因素。;外界因素会使导带底存在少量电子，价带顶存在少量孔穴—电子-孔穴对（EHP）。 有效质量：;直接带隙半导体：电子从价带向导带跃迁不需要改变晶体动量的半导体。例如：GaAs, InP, GaN, ZnO. 间接带隙???导体：电子从价带向导带跃迁要改变晶体动量的半导体。如Si，Ge。;在三维势场中的导带电子来说 DOS代表允许存在的电子状态数，并不是代表这一状态被电子占据。 费米-迪拉克函数 f(E) 表示 在热平衡态下，一定能量的电子状态被电子填充的概率：;1-f(E)代表电子状态空置的概率。 费米能级EF：电子按照泡利原理由低能级到高能级依次排列成的基态情况下，电子态有占有状态到不占有状态对应的能量分界。 在半导体中，EF导带的电子浓度和价带孔穴密度有关。 费米能级的变化代表: 将一个电子输出材料或注入材料所作的功的大小，即 在E=EF处， f(E)=1/2，但可能在此处没有电子态。 实际上，能量E处单位体积单位能级间隔的电子个数;本征半导体：结构完整、纯净的半导体，如硅、GaAs。;掺杂半导体：如果将本征半导体中引入一些少量的杂质原子，就会改变电子和孔穴的浓度。;p型半导体：在四价原子硅中掺入三价元素，就会空缺一个电子，多出一个空穴，该空穴容易获取电子。容易获取电子的原子称为受主(acceptor)。受主获取电子的能量状态称为受主能级Ea，位于禁带中靠近价带顶。;三种半导体的能带结构;当存在外加电场时，费米能级会发生倾斜或弯曲。费米能级在两端的差为;1、pn结的形成：Si的一侧为p掺杂，另一侧为n掺杂，又叫金属结。;2、动态平衡下的pn结; ｛N 区电子→→P 区 ｝ ID PN结两端掺杂浓度不均 →→ 扩散运动→→｛ ｝→→→ ｛P 区空穴→→N 区 ｝ ｛ P 区：电子 → 与空穴复合 →→ 空间电荷区↑宽｝ ID 复合→→｛ ｝→ →→ ｛ N 区：空穴 → 与电子复合 →→ 内部电场Uho↑ ｝ ｛ P 区电子→ N区→→空间电荷区↓窄 ｝ IT 漂移 →→→｛ ｝→ →→ 少子的漂移运动 ｛ N 区空穴→ P区→→内部电场Uho↓ ｝; ｛扩散↓ ID=IT ｛是动态平衡 ｛ →→→→ 趋于平衡 →→｛ ｛飘移↑ ｛ 扩散电流 ID 等于漂移电流 IT 　　　 ｛ 流过空间电荷区的总电流为 0 →→→→ ｛ 　　　　　 ｛ 即：PN 结中的净电流为 0。从n区向p区扩散过去多少电子，同时就将有同样多的电子在内建电场的作用下返回n区。 结论： 在无外激发因素（光照、加热、电场作用）时，PN结内部 的扩散与漂移运动最终会达到动态平衡，扩散电流ID = 漂移电流IT，但方向相反，故此时PN结中无电流通过，形成一定的宽度的耗尽层（空间电荷区）。;3、对称结与不对称结;4、pn结的能带结构; 结区存在内建电场，电势由n区到p区逐渐降低。能带的弯曲量eVo称为p-n结的势垒（potential energy barrier